「#SiC」の検索結果

パワー半導体向けシンタリング装置を開発【日機装】

2022年10月3日 　  パワー半導体向けシンタリング装置を開発 ～特殊ゲルを用いた立体的なプレスでSiCパワー半導体を均一に一括接合～ 　  日機装株式会社は、パワー半導体SiCモジュールの製造におけるシンタリング（焼結）装置「3Dシンター」を開発しました。 日機装株式...

オンセミ、オンボードチャージャ用車載向けシリコンカーバイドベースのパワーモジュール新製品3モデルを発表

2022年9月29日 　  オンセミ、オンボードチャージャ用車載向けシリコンカーバイドベースのパワーモジュール新製品3モデルを発表 AMP32シリーズモジュールは、あらゆるタイプの電気自動車で充電の高速化と航続距離の延長を実現 　  インテリジェントなパワーおよび...

オンセミ、チェコ共和国のシリコンカーバイド製造施設を拡張

2022年9月28日 　  オンセミ、チェコ共和国のシリコンカーバイド製造施設を拡張 マイクロチップの需要急増に対応するために、今後2年間でシリコンカーバイド(SiC) ウェハの生産能力を16倍に増強 　  2022年9月28日（米国2022年9月21日発表) – インテリジェントなパワーおよびセンシ...

SiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュールを発表【STマイクロエレクトロニクス】

2022年9月9日 　  SiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュールを発表 　  STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、1200V耐圧のSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETを汎用性に優れた構成で内蔵したSTPOWERパワー･モジュール「A2F12M1...

200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始【昭和電工】

2022年9月7日 　  200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始 ~自社製SiC単結晶基板を活用、SiCパワー半導体の普及・拡大に貢献～ 　  　昭和電工株式会社（社長：髙橋 秀仁）は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキ シャルウェハー（以下、SiCエピウェハー）*1...

オンセミ、ニューハンプシャー州のシリコンカーバイド(SiC)生産施設を拡張

2022年8月16日 　  オンセミ、ニューハンプシャー州のシリコンカーバイド(SiC)生産施設を拡張 本施設では、シリコンカーバイド（SiC）の生産能力が前年比5倍に増加し、オンセミの顧客の重要な部品の供給確保に貢献 　  インテリジェント・パワーおよびセンシング技...

低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発【東芝デバイス＆ストレージ】

2022年7月22日 　  低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発 　  当社は、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減したSiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を開発しました。本技術により、当社の第二世代SiC MOSFET製品と比較して電力のオンとオフが切り替わ...

CISSOIDがNAC社およびAdvanced Conversion社と高パワー密度SiC インバータで協力

2022年6月23日 　  CISSOIDがNAC社およびAdvanced Conversion社と高パワー密度SiC インバータで協力 　  ベルギー・モンサンギベール/米国・バーモント州バリ 高温動作半導体およびパワーモジュールで業界をリードするCISSOIDは、NAC Group社とともに、過酷な用...

ヴィテスコ・テクノロジーズ、シリコンカーバイドのパワー半導体でインフィニオンと協業

2022年6月6日 　  ヴィテスコ・テクノロジーズ、シリコンカーバイドのパワー半導体でインフィニオンと協業 　  こちらは現地時間2022年5月31日にドイツ・レーゲンスブルグで発行されたプレスリリースの抄訳です。英文の原文との間で解釈に相違が生じた際には原文が優先します。 ...

UnitedSiC（現Qorvo）、業界最高水準の特性値を持つ 1200V Gen4 SiC FET を発表

2022年5月11日 　  UnitedSiC（現Qorvo）、業界最高水準の特性値を持つ 1200V Gen4 SiC FET を発表 　  2022 年 5 月 11 日 -世界をつなぎ、守るコア RF およびパワーソリューションのリーディングプロバイダである Qorvo® (Nasdaq:QRVO) は本日、業界最高レベル...