検索結果
「#SiC」の検索結果
低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発【東芝デバイス＆ストレージ】
2022年7月22日 低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発 当社は、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減したSiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を開発しました。本技術により、当社の第二世代SiC MOSFET製品と比較して電力のオンとオフが切り替わ...
CISSOIDがNAC社およびAdvanced Conversion社と高パワー密度SiC インバータで協力
2022年6月23日 CISSOIDがNAC社およびAdvanced Conversion社と高パワー密度SiC インバータで協力 ベルギー・モンサンギベール/米国・バーモント州バリ 高温動作半導体およびパワーモジュールで業界をリードするCISSOIDは、NAC Group社とともに、過酷な用...
ヴィテスコ・テクノロジーズ、シリコンカーバイドのパワー半導体でインフィニオンと協業
2022年6月6日 ヴィテスコ・テクノロジーズ、シリコンカーバイドのパワー半導体でインフィニオンと協業 こちらは現地時間2022年5月31日にドイツ・レーゲンスブルグで発行されたプレスリリースの抄訳です。英文の原文との間で解釈に相違が生じた際には原文が優先します。 ...
UnitedSiC（現Qorvo）、業界最高水準の特性値を持つ 1200V Gen4 SiC FET を発表
2022年5月11日 UnitedSiC（現Qorvo）、業界最高水準の特性値を持つ 1200V Gen4 SiC FET を発表 2022 年 5 月 11 日 -世界をつなぎ、守るコア RF およびパワーソリューションのリーディングプロバイダである Qorvo® (Nasdaq:QRVO) は本日、業界最高レベル...
デンソー、「人とくるまのテクノロジー展2022」に出展
2022年5月18日 デンソー、「人とくるまのテクノロジー展2022」に出展 株式会社デンソー(本社：愛知県刈谷市、社長：有馬 浩二)は、2022年5月25日(水)から27日(金)までパシフィコ横浜(横浜市西区)で開催される「人とくるまのテクノロジー展2022」(主催：公益社団法人 自動車...
1200V耐圧SiC MOSFET ディスクリート製品の販売開始【三社電機製作所】
2022年4月12日 1200V耐圧SiC MOSFET ディスクリート製品の販売開始 高信頼性と低損失を実現 株式会社三社電機製作所（本社：大阪市）はこのたび、高速なスイッチングと低損失を実現する４ピン構造のTO-247パッケージを採用したSiC MOSFETの電流容量50A品を2022年4月より...
NXPと日立エナジー、パワー・モジュール分野で提携し、eモビリティでのシリコンカーバイド半導体技術の普及を促進
2022年3月30日 NXPと日立エナジー、パワー・モジュール分野で提携し、eモビリティでのシリコンカーバイド半導体技術の普及を促進 NXP Semiconductorsはeモビリティにおけるシリコンカーバイド（SiC）のパワー半導体モジュールの普及促進に向けて、 日立エナ...
次世代EVおよび産業機器に最適な第3世代 SiCパワーMOSFETを発表【STマイクロエレクトロニクス】
2021年12月21日 次世代EVおよび産業機器に最適な第3世代 SiCパワーMOSFETを発表 ・eモビリティや高電力効率の産業機器において、性能と信頼性の向上に貢献する最新世代SiCパワーMOSFET ・SiCへの継続的な長期投資により、将来の成長に向けた基盤を構築 ...
CISSOIDとSilicon Mobilityは 新エネルギー車用のコンパクトで効率的なSiCインバーターを共同発表
2021年12月9日 CISSOIDとSilicon Mobilityは 新エネルギー車用のコンパクトで効率的なSiCインバーターを共同発表 ベルギー・モンサンギベール/フランス・ソフィアアンティポリス – 2021年12月9日 高温半導体およびパワーモジュールのリーダーであるCISSOID社と、FPCU...
A*STARのInstitute of MicroelectronicsとST、EVおよび産業機器向けSiCの研究開発で協力【STマイクロエレクトロニクス】
2021年12月7日 A*STARのInstitute of MicroelectronicsとST、 EVおよび産業機器向けSiCの研究開発で協力 シンガポールにおけるSiCエコシステムの構築で協力 A*STAR（シンガポール科学技術研究庁）の研究機関であるInstitute of Microelectronics（IME）と...
