検索結果

「#SiC」の検索結果

UnitedSiC(現Qorvo)、業界最高水準の特性値を持つ 1200V Gen4 SiC FET を発表

2022年5月11日    UnitedSiC(現Qorvo)、業界最高水準の特性値を持つ 1200V Gen4 SiC FET を発表    2022 年 5 月 11 日 -世界をつなぎ、守るコア RF およびパワーソリューションのリーディングプロバイダである Qorvo® (Nasdaq:QRVO) は本日、業界最高レベル...

デンソー、「人とくるまのテクノロジー展2022」に出展

2022年5月18日    デンソー、「人とくるまのテクノロジー展2022」に出展    株式会社デンソー(本社:愛知県刈谷市、社長:有馬 浩二)は、2022年5月25日(水)から27日(金)までパシフィコ横浜(横浜市西区)で開催される「人とくるまのテクノロジー展2022」(主催:公益社団法人 自動車...

1200V耐圧SiC MOSFET ディスクリート製品の販売開始【三社電機製作所】

2022年4月12日    1200V耐圧SiC MOSFET ディスクリート製品の販売開始 高信頼性と低損失を実現    株式会社三社電機製作所(本社:大阪市)はこのたび、高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造のTO-247パッケージを採用したSiC MOSFETの電流容量50A品を2022年4月より...

NXPと日立エナジー、パワー・モジュール分野で提携し、eモビリティでのシリコンカーバイド半導体技術の普及を促進

2022年3月30日    NXPと日立エナジー、パワー・モジュール分野で提携し、eモビリティでのシリコンカーバイド半導体技術の普及を促進    NXP Semiconductorsはeモビリティにおけるシリコンカーバイド(SiC)のパワー半導体モジュールの普及促進に向けて、 日立エナ...

次世代EVおよび産業機器に最適な第3世代 SiCパワーMOSFETを発表【STマイクロエレクトロニクス】

2021年12月21日    次世代EVおよび産業機器に最適な第3世代 SiCパワーMOSFETを発表    ・eモビリティや高電力効率の産業機器において、性能と信頼性の向上に貢献する最新世代SiCパワーMOSFET ・SiCへの継続的な長期投資により、将来の成長に向けた基盤を構築 ...

CISSOIDとSilicon Mobilityは 新エネルギー車用のコンパクトで効率的なSiCインバーターを共同発表

2021年12月9日    CISSOIDとSilicon Mobilityは 新エネルギー車用のコンパクトで効率的なSiCインバーターを共同発表    ベルギー・モンサンギベール/フランス・ソフィアアンティポリス – 2021年12月9日 高温半導体およびパワーモジュールのリーダーであるCISSOID社と、FPCU...

A*STARのInstitute of MicroelectronicsとST、EVおよび産業機器向けSiCの研究開発で協力【STマイクロエレクトロニクス】

2021年12月7日    A*STARのInstitute of MicroelectronicsとST、 EVおよび産業機器向けSiCの研究開発で協力 シンガポールにおけるSiCエコシステムの構築で協力    A*STAR(シンガポール科学技術研究庁)の研究機関であるInstitute of Microelectronics(IME)と...

Nexperia、新しい高性能シリコン・カーバイド(SiC)ダイオード・ファミリを発表し、ワイドバンドギャップ半導体製品を拡充

2021年11月8日    Nexperia、新しい高性能シリコン・カーバイド(SiC)ダイオード・ファミリを発表し、 ワイドバンドギャップ半導体製品を拡充 産業グレードの650V、10A SiCショットキー・ダイオードのサンプル提供を開始。1200V/6~20Aの製品と車載グレード製品も計画    必...

SiCパワー半導体で脱炭素社会に貢献~独自のSiC技術により、 電動化製品の小型化と車両燃費の向上を実現~【デンソー】

2021年11月2日    デンソー、 SiCパワー半導体で脱炭素社会に貢献 ~独自のSiC技術により、 電動化製品の小型化と車両燃費の向上を実現~    株式会社デンソーは、独自の構造や加工技術を取り入れたSiC(シリコンカーバイド)パワー半導体を開発し、車載製品に搭...

小型SO-8Nパッケージで提供される堅牢な絶縁型SiCゲート・ドライバを発表【 STマイクロエレクトロニクス 】

2021年10月18日    小型SO-8Nパッケージで提供される堅牢な絶縁型SiCゲート・ドライバを発表    STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、SiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETの制御に最適化されたシングルチャネル・ゲート・ドライバ「STGAP2SiCSN」を発...