「#SiC」の検索結果

効率、サイズ、信頼性をシステムレベルで向上させる シリコン カーバイド（SiC）パワー エレクトロニクス ファミリを拡充【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】

2020年3月17日 [NASDAQ: MCHP] – 革新的なパワー ソリューションの開発を可能にするため、高効率化、小型化、軽量化を実現できるシリコン カーバイド（SiC）採用システムに対する需要は急速な増大を続けています。SiC技術を活用したアプリケーションは電気自動車、充電ステーションからスマート パワーグリッド...

ロームのSiCパワーデバイスが中国大手Tier1、UAESの電気自動車用オンボードチャージャーに採用 EV充電システムの高速化、高効率化、小型化に貢献【ローム】

2020年3月17日 ＜要旨＞ ローム株式会社（本社：京都市）のSiCパワーデバイス（SiC MOSFET*1）が、中国・総合車載Tier1メーカー、United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. （以下、UAES社）の電気自動車用オンボードチャージャー（On Board Charger、以下OBC）に採用されました。同OBCは、2020年10月にUAE...

要求の厳しいアプリケーション向けに900V、1200V SiC MOSFET の新製品を発表【オン・セミコンダクター】

2020年3月16日 要求の厳しいアプリケーション向けに900V、1200V SiC MOSFET の新製品を発表 新製品のSiC MOSFETによって、高性能と高効率を達成し、過酷な条件下での動作が実現 2020年3月16日（米国2020年3月10日発表）：　 高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社　米国アリゾ...

ローム(株)のSiCパワーモジュールを採用した インバータの独自開発をスタート　 プラットフォーム事業のさらなる拡大を目指す【GLM】

2020年2月18日 　電気自動車(EV)の開発・販売を行う GLM株式会社(本社：京都市)は、半導体・電子部品メーカーのローム株式会社(所在地：京都市)のSiCパワーモジュールを採用し、「800Vシステム対応次世代SiCインバータ」の開発に着手することになりました。 　ローム社製SiCパワーモジュールを採用することにより、...

SiCをベースにしたパワーコンバーターの設計サイクルを加速するゲートドライブ評価プラットフォームを発表【リテルヒューズ】

2019年2月4日 回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク （本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS） の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、「ゲートドライブ評価プラットフォーム（GDEV）」を、本年2月上旬に発売します。 同製品は、シリコンカーバ...

CreeとST、SiCウェハ供給契約の拡大と延長を発表【STマイクロエレクトロニクス】

2019年12月5日 Cree, Inc.（Nasdaq：CREE、以下Cree）と、多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、現在のSiC（炭化ケイ素）ウェハの複数年供給契約を延長するとともに、5億ドル相当以上に拡大することを発表しました。延長される契約では、...

第2世代高品質パワー半導体用SiCエピウェハーを開発【昭和電工】

2019年8月1日 第2世代高品質パワー半導体用SiCエピウェハーを開発－ 電気自動車・電鉄車両向けSiCインバーター普及を加速 － 　昭和電工株式会社（社長：森川 宏平）は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（以下、SiC）エピタキシャルウェハー（以下、エピウェハー）の6インチ（150mm）品において、現在量産中の低欠...

高電圧、高信頼性パワー エレクトロニクスを実現するシリコン カーバイド（SiC）製品の量産開始を発表【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】

2019年5月16日 [NASDAQ: MCHP] – 車載、産業、航空宇宙、防衛アプリケーションのシステムの効率、堅牢性、電力密度を向上させるSiCパワーデバイスの需要が拡大しています。Microchip Technology Inc.（日本支社: 東京都港区浜松町、代表: 吉田洋介 以下Microchip社）は本日、子会社のMicrosemi社を通じて、ワイ...

1200V耐圧SiC-MOSFETモジュールの量産を開始【三社電機製作所】

2019年4月23日 1200V耐圧SiC-MOSFETモジュールの量産を開始 高信頼性と低損失を実現 　株式会社三社電機製作所（本社：大阪市）はこのほど、1200V耐圧（電流容量150A）２素子入りSiC-MOSFETモジュールの量産を4月より開始いたします。 【発売の狙い】 　パワートランジスタなどのパワーデバイスは、車載や産業...

リテルヒューズ初、650Vの第二世代SiCショットキーダイオード「GEN2 650Vシリーズ」 2種を発売 わずかな逆回復電流で高サージ電流に対応、最大接合温度175度【リテルヒューズ】

2019年2月20日 回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク （本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、当社初の650V SiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオード製品となる、「GEN2 650Vシリーズ」 2種を本年3...