「#SiC」の検索結果

インバータ設計向け低インダクタンス シリコン カーバイド（SiC） パワーモジュール/プログラマブル ゲートドライバ キットを発表【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】

2020年9月1日 [NASDAQ: MCHP] – 世界中で革新的技術を採用した高効率の交通手段に切り換えが進む中、列車、路面電車、トロリーバス、自動車、EV充電器まで、輸送手段の電動化が急速に進んでいます。Microchip Technology Inc.（日本法人: 東京都港区浜松町、代表: 吉田洋介 以下Microchip社）は本日、AgileSwit...

独自開発中の 「800Vシステム対応次世代SiCインバータ」　 プロトタイプ完成を発表【GLM】

2020年7月9日 　電気自動車(EV)の開発・販売を行う「GLM(株)」(本社：京都市)は、本年2月にローム(株)との開発開始を発表したSiCパワーモジュール搭載の「800Vシステム対応次世代SiCインバータ」の2年後の量産を目指し開発を進め、この度プロトタイプの完成に至りました。 SiC Inverter 　当製品はパワー素子にSiC...

高品質SiC 6インチ単結晶基板 “CrystEra®” の製品化に成功【住友電気工業】

2020年5月11日 住友電気工業株式会社（本社：大阪市中央区、社長：井上 治、以下 当社）は、6インチSiCパワーデバイス用単結晶基板 “CrystEra®” の開発に成功し、2020年度下期より当社SiCエピタキシャル基板 “EpiEra®” への適用を開始します。 パワーデバイスは電力制御用の半導体デバイス...

効率、サイズ、信頼性をシステムレベルで向上させる シリコン カーバイド（SiC）パワー エレクトロニクス ファミリを拡充【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】

2020年3月17日 [NASDAQ: MCHP] – 革新的なパワー ソリューションの開発を可能にするため、高効率化、小型化、軽量化を実現できるシリコン カーバイド（SiC）採用システムに対する需要は急速な増大を続けています。SiC技術を活用したアプリケーションは電気自動車、充電ステーションからスマート パワーグリッド...

ロームのSiCパワーデバイスが中国大手Tier1、UAESの電気自動車用オンボードチャージャーに採用 EV充電システムの高速化、高効率化、小型化に貢献【ローム】

2020年3月17日 ＜要旨＞ ローム株式会社（本社：京都市）のSiCパワーデバイス（SiC MOSFET*1）が、中国・総合車載Tier1メーカー、United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. （以下、UAES社）の電気自動車用オンボードチャージャー（On Board Charger、以下OBC）に採用されました。同OBCは、2020年10月にUAE...

要求の厳しいアプリケーション向けに900V、1200V SiC MOSFET の新製品を発表【オン・セミコンダクター】

2020年3月16日 要求の厳しいアプリケーション向けに900V、1200V SiC MOSFET の新製品を発表 新製品のSiC MOSFETによって、高性能と高効率を達成し、過酷な条件下での動作が実現 2020年3月16日（米国2020年3月10日発表）：　 高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社　米国アリゾ...

ローム(株)のSiCパワーモジュールを採用した インバータの独自開発をスタート　 プラットフォーム事業のさらなる拡大を目指す【GLM】

2020年2月18日 　電気自動車(EV)の開発・販売を行う GLM株式会社(本社：京都市)は、半導体・電子部品メーカーのローム株式会社(所在地：京都市)のSiCパワーモジュールを採用し、「800Vシステム対応次世代SiCインバータ」の開発に着手することになりました。 　ローム社製SiCパワーモジュールを採用することにより、...

SiCをベースにしたパワーコンバーターの設計サイクルを加速するゲートドライブ評価プラットフォームを発表【リテルヒューズ】

2019年2月4日 回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク （本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS） の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、「ゲートドライブ評価プラットフォーム（GDEV）」を、本年2月上旬に発売します。 同製品は、シリコンカーバ...

CreeとST、SiCウェハ供給契約の拡大と延長を発表【STマイクロエレクトロニクス】

2019年12月5日 Cree, Inc.（Nasdaq：CREE、以下Cree）と、多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、現在のSiC（炭化ケイ素）ウェハの複数年供給契約を延長するとともに、5億ドル相当以上に拡大することを発表しました。延長される契約では、...

第2世代高品質パワー半導体用SiCエピウェハーを開発【昭和電工】

2019年8月1日 第2世代高品質パワー半導体用SiCエピウェハーを開発－ 電気自動車・電鉄車両向けSiCインバーター普及を加速 － 　昭和電工株式会社（社長：森川 宏平）は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（以下、SiC）エピタキシャルウェハー（以下、エピウェハー）の6インチ（150mm）品において、現在量産中の低欠...