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「#SiC」の検索結果

SABIC、EV の高耐熱SIC インバータに向けて従来比40%薄膜 化のELCRES™ HTV150A フィルムをPCIM ASIA 2022 講演会で 発表

2022年10月24日    SABIC、EV の高耐熱SIC インバータに向けて従来比40%薄膜 化のELCRES™ HTV150A フィルムをPCIM ASIA 2022 講演会で 発表    化学業界のグローバル・リーダーであるSABIC は、2022 年10 月26 と27 日に中国・上海で開催のPCIM ASIA 講演会2022 で、従来よりも...

ジャガー・ランドローバー、Wolfspeedと戦略的パートナーシップ締結 次世代の電気自動車に不可欠なSiC半導体技術の供給を確保

2022年11月7日    ジャガー・ランドローバー、Wolfspeedと戦略的パートナーシップ締結 次世代の電気自動車に不可欠なSiC半導体技術の供給を確保    ■ジャガー・ランドローバーは、新グローバル戦略「REIMAGINE」に基づき、2039年までのカーボン・ネット・ゼロ...

パワー半導体向けシンタリング装置を開発【日機装】

2022年10月3日    パワー半導体向けシンタリング装置を開発 ~特殊ゲルを用いた立体的なプレスでSiCパワー半導体を均一に一括接合~    日機装株式会社は、パワー半導体SiCモジュールの製造におけるシンタリング(焼結)装置「3Dシンター」を開発しました。 日機装株式...

オンセミ、オンボードチャージャ用車載向けシリコンカーバイドベースのパワーモジュール新製品3モデルを発表

2022年9月29日    オンセミ、オンボードチャージャ用車載向けシリコンカーバイドベースのパワーモジュール新製品3モデルを発表 AMP32シリーズモジュールは、あらゆるタイプの電気自動車で充電の高速化と航続距離の延長を実現    インテリジェントなパワーおよび...

オンセミ、チェコ共和国のシリコンカーバイド製造施設を拡張

2022年9月28日    オンセミ、チェコ共和国のシリコンカーバイド製造施設を拡張 マイクロチップの需要急増に対応するために、今後2年間でシリコンカーバイド(SiC) ウェハの生産能力を16倍に増強    2022年9月28日(米国2022年9月21日発表) – インテリジェントなパワーおよびセンシ...

SiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュールを発表【STマイクロエレクトロニクス】

2022年9月9日    SiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュールを発表    STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、1200V耐圧のSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETを汎用性に優れた構成で内蔵したSTPOWERパワー・モジュール「A2F12M1...

200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始【昭和電工】

2022年9月7日    200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始 ~自社製SiC単結晶基板を活用、SiCパワー半導体の普及・拡大に貢献~     昭和電工株式会社(社長:髙橋 秀仁)は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキ シャルウェハー(以下、SiCエピウェハー)*1...

オンセミ、ニューハンプシャー州のシリコンカーバイド(SiC)生産施設を拡張

2022年8月16日    オンセミ、ニューハンプシャー州のシリコンカーバイド(SiC)生産施設を拡張 本施設では、シリコンカーバイド(SiC)の生産能力が前年比5倍に増加し、オンセミの顧客の重要な部品の供給確保に貢献    インテリジェント・パワーおよびセンシング技...

低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発【東芝デバイス&ストレージ】

2022年7月22日    低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発    当社は、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減したSiC(炭化ケイ素) MOSFET注1を開発しました。本技術により、当社の第二世代SiC MOSFET製品と比較して電力のオンとオフが切り替わ...

CISSOIDがNAC社およびAdvanced Conversion社と高パワー密度SiC インバータで協力

2022年6月23日    CISSOIDがNAC社およびAdvanced Conversion社と高パワー密度SiC インバータで協力    ベルギー・モンサンギベール/米国・バーモント州バリ 高温動作半導体およびパワーモジュールで業界をリードするCISSOIDは、NAC Group社とともに、過酷な用...