「#SiC」の検索結果

パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハー生産能力を2.5倍に増強【昭和電工】

2012年8月30日 昭和電工㈱（社長：市川 秀夫）は、当社秩父事業所（埼玉県秩父市）で生産する表面平滑性が高く結晶欠陥が制御されたパワー半導体用4インチ径SiC（炭化シリコン）エピタキシャルウェハーの生産能力を、設備の増設と生産技術の向上により、従来の2.5倍にあたる月産1,500枚まで増強いたしました。 SiCエ...

6インチ口径炭化ケイ素シリコン（SiC）ウェハが「半導体オブ・ザ・イヤー」を受賞【新日本製鐵】

2012年6月18日 当社が開発した6インチ口径炭化ケイ素シリコン（SiC）ウェハが、このほど、「半導体オブ・ザ・イヤー」（半導体タイムズ社主催）の電子材料部門で「優秀賞」を受賞しました。 SiCウェハは、現在、半導体デバイスの製造に用いられているシリコンウェハに比べ、デバイスでの電力変換損失を半分以下に抑える...