「#SiC」の検索結果

SiCパワー素子の自動車や鉄道車両向け応用システム開発を加速【NEDO】

2014年8月15日 ―日本の技術的優位性確保と新材料パワーデバイスの適用拡大を目指す― NEDOは、パワーエレクトニクス分野における日本の技術的優位性の確保と適用拡大を目指し、新たなテーマを開始します。 このプロジェクトでは、新材料であるシリコンカーバイド（SiC※1）を用いたパワーデバイスを活用した応用システム...

次世代パワーデバイスの理想性能に近づく絶縁膜材料作製手法を開発【科学技術振興機構】

2014年7月25日 ～SiCと絶縁膜の界面欠陥解消による性能向上へ～ ポイント ○パワーデバイスによる大幅な省エネは、材料由来の欠陥によって足踏みしている。○原因は材料生成時の熱処理における炭素残留であり、残留させない反応条件を見いだした。○結果、材料欠陥が世界最小値まで減少し、理想的な材料性能を発揮できる...

ローム製SiCパワーデバイスを搭載した実験用インバータを開発【Mywayプラス】

2013年4月11日 パワーエレクトロニクス研究開発ツールや評価装置分野で20年（約1300件）の開発実績を持つMywayプラス㈱（本社：横浜市）はこのほど、自動車、電機業界向けにローム㈱（本社：京都市）製のフルSiC パワーモジュールを搭載した実験用インバータ（PE-Inverter）を開発しました。 このPE-Inverterはインバ...

SiCを採用したパワー半導体の量産について【東芝】

2013年3月19日 ―　2020年にシェア30%を目指す　― 当社は、産業機器・車載機器向けに需要拡大が見込まれるパワー半導体分野において、シリコンカーバイド（SiC）を採用した製品を今月末から姫路半導体工場で量産を開始します。 第一弾として、電流の逆流を防ぐ整流素子であるショットキバリアダイオードを量産します...

パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハー生産能力を2.5倍に増強【昭和電工】

2012年8月30日 昭和電工㈱（社長：市川 秀夫）は、当社秩父事業所（埼玉県秩父市）で生産する表面平滑性が高く結晶欠陥が制御されたパワー半導体用4インチ径SiC（炭化シリコン）エピタキシャルウェハーの生産能力を、設備の増設と生産技術の向上により、従来の2.5倍にあたる月産1,500枚まで増強いたしました。 SiCエ...

6インチ口径炭化ケイ素シリコン（SiC）ウェハが「半導体オブ・ザ・イヤー」を受賞【新日本製鐵】

2012年6月18日 当社が開発した6インチ口径炭化ケイ素シリコン（SiC）ウェハが、このほど、「半導体オブ・ザ・イヤー」（半導体タイムズ社主催）の電子材料部門で「優秀賞」を受賞しました。 SiCウェハは、現在、半導体デバイスの製造に用いられているシリコンウェハに比べ、デバイスでの電力変換損失を半分以下に抑える...