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「#SiC」の検索結果
パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハー生産能力を2.5倍に増強【昭和電工】
2012年8月30日 昭和電工㈱(社長:市川 秀夫)は、当社秩父事業所(埼玉県秩父市)で生産する表面平滑性が高く結晶欠陥が制御されたパワー半導体用4インチ径SiC(炭化シリコン)エピタキシャルウェハーの生産能力を、設備の増設と生産技術の向上により、従来の2.5倍にあたる月産1,500枚まで増強いたしました。 SiCエ...
6インチ口径炭化ケイ素シリコン(SiC)ウェハが「半導体オブ・ザ・イヤー」を受賞【新日本製鐵】
2012年6月18日 当社が開発した6インチ口径炭化ケイ素シリコン(SiC)ウェハが、このほど、「半導体オブ・ザ・イヤー」(半導体タイムズ社主催)の電子材料部門で「優秀賞」を受賞しました。 SiCウェハは、現在、半導体デバイスの製造に用いられているシリコンウェハに比べ、デバイスでの電力変換損失を半分以下に抑える...