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「#半導体」の検索結果
車載用600V耐圧HVIC発売のお知らせ【三菱電機】
2012年3月6日 三菱電機㈱は、電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）の電圧変換器などに搭載されるパワー半導体を駆動する車載用600V耐圧のHVIC※1「M81729JFP」を4月2日に発売します。※1 ： High Voltage Integrated Circuit：パワー半導体素子の駆動機能と保護機能を内蔵した高耐圧集積回路 新製品の特長 1． ...
NASCARの伝統あるデイトナ500レースで電子制御燃料噴射装置の運用を開始【フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン】
2012年3月5日 フロリダ州デイトナ・ビーチ－2012年2月23日－2月26日（日）に開催される全米自動車競争協会（NASCAR：National Association for Stock Car Auto Racing）の伝統あるデイトナ500レースの歴史に新たな1ページが加わります。本番当日、各競技車両はNASCARスプリント・カップ・シリーズの64年の歴史で初めて...
業界最先端の40nmフラッシュマイコンとして、次世代ハイエンド車載マイコン「RH850ファミリ」 を展開【ルネサス エレクトロニクス】
2012年2月29日 ～高性能、拡張性、高信頼性で次世代自動車の安全・快適・環境性能向上に貢献～ ルネサス エレクトロニクス㈱（代表取締役社長：赤尾 泰、以下ルネサス）は、業界最先端の40nm（ナノメートル：10億分の1メートル）プロセスを採用したフラッシュメモリ内蔵マイコン（以下フラッシュマイコン）をいち早く...
車載向けに低消費電力を実現した高機能マイコン「V850E2/Fx4-L」を発売【ルネサス エレクトロニクス】
2012年2月14日 ルネサス エレクトロニクス㈱（代表取締役社長：赤尾 泰、以下ルネサス）は、このたび、ボディ制御分野向けに、システムの低消費電力化と高機能化に貢献する32ビットマイコン「V850E2/Fx4-L」19品種を製品化し、本日より順次サンプル出荷を開始します。 新製品は、車載用V850ファミリのボディ制御向け...
パワー・ウィンドウ制御機能を内蔵した業界初のドア・スイッチ・モジュール用ICを発表【STマイクロエレクトロニクス】
2012年2月2日 コストを低減し、ユーザの快適性を向上させる革新的製品 エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的半導体メーカーで、車載用ICの主要サプライヤであるSTマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、電動ウィンドウ制御機能を内蔵した多機能ドア・スイッチ・モ...
ハイブリッド車や電気自動車向け車載用ゲート駆動ICをサンプル出荷【IRジャパン】
2012年1月31日 インターナショナル・レクティファイアーハイブリッド車や電気自動車向け車載用ゲート駆動ICをサンプル出荷～ パワー・トレイン設計を簡素化、小型8ピンSOP封止で実装面積削減 ～ パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン...
業界初のMOSFET内蔵100V同期整流降圧型レギュレータを発表【日本テキサス・インスツルメンツ】
2012年1月26日 高耐圧アプリケーションのPCB面積低減と信頼性向上を実現する新しい高集積ピン互換ICファミリ 日本テキサス・インスツルメンツは、業界初のMOSFET内蔵100V同期整流降圧型レギュレータを発表し、高耐圧POL（ポイント・オブ・ロード）製品のラインナップをさらに拡充しました。600mAの『LM5017』は、テレ...
HEV/EV用モータ制御を効率化する角度センサ（レゾルバセンサ）の特性をプログラマブルに補正できる高性能マイコン「V850E2/PJ4-E」を発売【ルネサス エレクトロニクス】
2012年1月18日 ルネサス エレクトロニクス㈱（代表取締役社長：赤尾 泰、以下ルネサス）は、このたび、ハイブリッド電気自動車 や電気自動車（HEV/EV）用モータ制御など向けの車載用マイコンとして、高度な機能安全に対応したシステムの高機能化と低コスト化の同時実現に貢献する「V850E2/PJ4-E」を製品化し、2012年3月...
フリースケールのi.MX 6を、GMが次世代OnStarシステムに採用【フリースケール】
2012年1月18日 ネバダ州ラスベガス（2012 INTERNATIONAL CES）－2012年1月10日－自動車業界では現在、高性能、およびスマートな接続を求めるユーザのニーズにより、車載システムは変革の時期を迎えており、自動車産業の厳しい要件を満たす車載製品を提供できる半導体プロバイダにとっては大きなチャンスが広がっていま...
自動車の室内灯等向けに低損失化を実現したパワー半導体（サーマルFET）を発売【ルネサス エレクトロニクス】
2011年12月20日 ～当社従来比約25%の損失（オン抵抗）低減により、機器の省電力化、小型化に貢献～ ルネサス エレクトロニクス㈱（代表取締役社長：赤尾 泰、以下ルネサス）はこのたび、自動車の室内灯スイッチ、およびエンジン制御用ソレノイドや各種センサの駆動用のパワー半導体「サーマルFET（過熱遮断機能内蔵型M...
