「#デバイス」の検索結果

タイヤ周辺センサーのバッテリーレス化に成功～関西大学との「タイヤ内発電技術」の実用化に向けた取り組み～【住友ゴム工業】

2021年3月1日 　  タイヤ周辺センサーのバッテリーレス化に成功 ～関西大学との「タイヤ内発電技術」の実用化に向けた取り組み～ 　住友ゴム工業(株)は関西大学・谷弘詞教授と共同で、タイヤの内側に静電気を利用した発電デバイス(エナジーハーベスト※1)を取り付け、タイヤの回転によ...

耐久性と低消費電力特性を両立した新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」を製品化【日立パワーデバイス】

2021年1月26日 耐久性と低消費電力特性を両立した新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」を製品化発電、送変電、電動化を担う機器の高効率化・省エネ化により脱炭素社会の実現に貢献 新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」 　株式会社日立パワーデバイス(取締役社長:奈良　孝／以下、日立パワーデバイス)は、電力シス...

高度な第4世代技術を基盤とする新SiC FETデバイスを発表【UnitedSiC】

2020年12月2日 シリコンカーバイト（SiC）パワー半導体大手メーカーのUnitedSiC（ユナイテッドSiC、本社: 米ニュージャージー州プリンストン、以下: UnitedSiC）は、自社の高度な第4世代（Gen 4） SiC FET技術を基盤にした、4種類の新製品を発表しました。これらのGen 4デバイスは業界で唯一の750V SiC FETであり、傑出...

セキュリティ プログラム済み車載向け暗号コンパニオン デバイスを発表【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】

2020年11月12日 [NASDAQ: MCHP] – Bluetooth（R）、LTE/5G等車載ネットワーク接続の普及に伴い、今日の自動車はかつてないほどセキュリティ面で脆弱であり、車載市場向けの新しいサイバーセキュリティ規制および仕様が求められています。 Microchip Technology Inc.（日本法人: 東京都港区浜松町、代表: 吉田...

新しいデバイスと設計エコシステムの拡充でモータ制御のサポートを強化【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】

2020年10月8日 [NASDAQ: MCHP] – ますます多くのシステム アプリケーションで電気モータが使用されるようになっており、基板面積、部品点数、電力消費を削減させると同時に電力効率の高いシステムを実現できるデバイスとツールが必要とされています。Microchip Technology Inc.（日本法人: 東京都港区浜松町、...

Infineon TriCoreデバイス対応書き込みツール「Cyclone LC Universal」および「Cyclone FX Universal」の販売開始【ポジティブワン】

2020年8月31日 2020年8月31日、ポジティブワン株式会社（本社：東京都渋谷区、アメリカ合衆国マサチューセッツ州に本社を構えるPEmicro社日本総代理店）は、Infineon TriCoreデバイス対応書き込みツール「Cyclone LC Universal」および「Cyclone FX Universal」の販売を開始いたします。 Infineon TriCoreデバイス...

コモンモード・フィルタとESD保護機能を集積した車載用プロテクション・デバイスを発表【STマイクロエレクトロニクス】

2020年5月13日 STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、低クランプ電圧の過渡電圧サプレッサ・ダイオードを搭載した車載対応コモンモード・フィルタ（CMF）のECMF04-4HSM10YおよびECMF04-4HSWM10Yを発表しました。両製品は、優れた効率で高速シリアル・バスのインタフェースICを保護します。 ECMF04-...

ESD/サージ保護デバイス: 車載用Ethernet向け高ESD耐量チップバリスタの開発、量産【TDK】

2019年9月17日 ●低静電容量および狭公差品の実現 ● ESD耐量 25kVの実現 （IEC61000-4-2） ● 小型形状（1.0 x 0.5 x 0.5 mm） ● 温度特性は150℃まで対応 TDK株式会社（社長：石黒　成直）は、車載用のEthernet向け、高ESD耐量チップバリスタの新製品（製品名：AVRH10C221KT1R5YA8）を開発し、製品ラインナッ...

静電気を利用したタイヤ内部発電技術を関西大学と共同開発【住友ゴム工業】

2019年7月23日 住友ゴム工業(株)は関西大学・谷弘詞教授と共同で、タイヤの内側に静電気を利用した発電デバイス(エナジーハーベスト)を取り付け、回転によって電力を発生させる技術を開発しました。これは静電気の一種である摩擦帯電現象を応用したもので、タイヤの回転に伴う接地面での変形により、発電デバイスが効...

世界初、イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタ開発に成功【情報通信研究機構】

2018年12月12日 世界初、イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタ開発に成功～汎用性の高いデバイスプロセスを採用、低コストGa2O3パワーデバイス量産への道筋～ 【ポイント】 ■　高性能縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタ作製技術の開発に成功 ■　独自開発したシリコン、窒素をそ...