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SiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュールを発表【STマイクロエレクトロニクス】
2022年9月9日
SiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュールを発表
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STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、1200V耐圧のSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETを汎用性に優れた構成で内蔵したSTPOWERパワー･モジュール「A2F12M12W2-F1」および「A2U12M12W2-F2」を発表しました。両製品は、STのACEPACK(1) 2パッケージ技術を採用し、高い電力密度を備えるとともに、組立ての簡略化に貢献します。
A2F12M12W2-F1は、4パックのモジュールで、小型かつ利便性に優れたフルブリッジ･ソリューションを提供します。DC-DCコンバータなどの回路に最適です。
A2U12M12W2-F2は、3レベルT型トポロジを採用し、高導電効率、高スイッチング効率、および安定した出力電圧を備えています。
両製品ともに、STの第2世代SiC技術を活用したパワーMOSFETを内蔵しているため、優れた性能指数（オン抵抗 x ダイ面積）により、最小限の損失で高い電流処理性能を実現します。フルブリッジ･トポロジおよびT型トポロジは、いずれも単位面積当たりのオン抵抗が13mΩ（Typ.）と低いため、大電力アプリケーションに最適です。また、高い電力効率を備えるとともに、低熱損失のため温度管理の簡略化にも貢献します。
ACEPACK 2パッケージは、効率的なアルミナ基板とDBC（Direct Bonded Copper）によるダイ･アタッチメントを採用し、小型で高い電力密度を実現します。外部との接続にはプレス･フィット･ピンを使用することで、電気自動車（EV）や、EVの充電ステーション / 蓄電システム / 太陽光発電向けの電力変換など、過酷な環境で使用される可能性のある機器の組立てを簡略化します。また、2.5kVrmsの絶縁性能を備え、内蔵のNTCサーミスタによってシステムの保護および診断が可能です。
4パック構成のA2F12M12W2-F1および3レベルT型トポロジのA2U12M12W2-F2は現在量産中です。単価は、両製品ともに約235.20ドルです。
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
（ https://www.st.com/ja/power-modules-and-ipm/acepack-1-and-2.html?icmp=tt28351_gl_pron_sep2022 ）
(1) ACEPACK：Adaptable Compact Easier PACKage
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約48,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、IoT･コネクティビティの普及を可能にします。STは、2027年までのカーボン･ニュートラルの実現を目標にしています。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com ）をご覧ください。
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