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小型SO-8Nパッケージで提供される堅牢な絶縁型SiCゲート・ドライバを発表【 STマイクロエレクトロニクス 】
2021年10月18日
小型SO-8Nパッケージで提供される堅牢な絶縁型SiCゲート・ドライバを発表
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STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETの制御に最適化されたシングルチャネル･ゲート･ドライバ「STGAP2SiCSN」を発表しました。同製品は、小型のナロー･ボディSO-8Nパッケージで提供され、優れた堅牢性と高精度のパルス幅変調（PWM）制御を提供します。
電力変換における効率を向上させるSiCは、幅広く普及が進んでいる技術です。STGAP2SiCSNは、消費電力が重視される電源システムやドライバ、コントローラなどの設計簡略化、省スペース化、および堅牢性･信頼性向上に貢献します。電気自動車の充電システム、スイッチング電源（SMPS）、高電圧の力率補正回路（PFC）、DC-DCコンバータ、無停電電源装置（UPS）、太陽光発電システム、モータ･ドライバ、ファン、ファクトリ･オートメーション、生活家電、IH調理器など、さまざまなアプリケーションに最適な製品です。
また、ゲート駆動チャネルと低電圧制御回路の間にガルバニック絶縁を内蔵しており、高電圧電源で最大1700Vの動作が可能です。入出力間の伝搬遅延時間がわずか75ns未満のため、正確なPWM制御を実現すると共に、±100V/nsのコモンモード過渡電圧耐性（CMTI）により、信頼性に優れたスイッチングが可能です。SiCパワーMOSFETが低効率または危険な状態で動作することを防止する減電圧ロックアウト（UVLO）機能や、接合部温度の過度な上昇を検知すると2つのドライバ出力を低下させるサーマル･シャットダウン機能など、保護機能も内蔵されています。
STGAP2SiCSNのゲート駆動出力は、外部抵抗を使用してターンオン時間とターンオフ時間を個別に最適化できる個別出力バージョン、およびアクティブ･ミラー･クランプ機能を使用した単一出力バージョンの2種類から選択できます。単一出力バージョンでは、ミラー･クランプにより電源スイッチの過度な振動を防止することで、高周波数のハード･スイッチング･アプリケーションの安定性を向上させます。
STGAP2SiCSNの入力回路は、最小3.3VのTTL/CMOSロジックと互換性があり、ホスト･マイクロコントローラやDSPと簡単に接続可能です。最大26Vのゲート駆動電圧で、最大4Aのシンク / ソースが可能です。また、内蔵のブートストラップ･ダイオードが設計の簡略化と信頼性の向上に貢献すると共に、独立した入力ピンを使用するシャットダウン･モードにより、システムの消費電力を最小限に抑えることができます。
STGAP2SiCSNTRは、SO-8Nパッケージ（5 x 4mm）で提供されます。単価は、1000個購入時に約1.25ドルです。
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
( https://www.st.com/ja/motor-drivers/gate-drivers.html?icmp=tt23568_gl_pron_oct2021 )
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約46,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な独立系総合半導体メーカーです。約10万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、IoT･5G通信の普及を可能にします。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。
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