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高度な第4世代技術を基盤とする新SiC FETデバイスを発表【UnitedSiC】
2020年12月2日
シリコンカーバイト（SiC）パワー半導体大手メーカーのUnitedSiC（ユナイテッドSiC、本社: 米ニュージャージー州プリンストン、以下: UnitedSiC）は、自社の高度な第4世代（Gen 4） SiC FET技術を基盤にした、4種類の新製品を発表しました。これらのGen 4デバイスは業界で唯一の750V SiC FETであり、傑出した性能指数（FoM）を誇ります。自動車、産業機器用充電器、テレコム整流器、データセンターPFC、DC-DCコンバータなどの電力用途に加え、再生可能エネルギーやエネルギー貯蔵などの分野でも、大きな力を発揮することが期待されます。
今回発表されたSiC FETには、18mΩと60mΩの2つのモデルがあり、比類ないFoMと、単位面積当たりのオン抵抗と内在静電容量の低さが特長です。Gen 4 FETは、ハードスイッチング用途で最小のRDS(on) x EOSS(mΩ-μJ)値を示し、オン/オフ切り替え時の損失が低減しています。またRDS(on) x Coss(tr)(mΩ-nF)仕様の値が低いことで、ソフトスイッチング用途では導電損失の低減と高周波数化が実現します。今回発表した新製品は、競合する既存のSiC MOSFET製品の性能を常温（25℃）と高温（125℃）のいずれでも上回り、さらに内蔵ダイオードのVFは低く、優れた逆回復性能を備えているため、デッドタイム損失が低減し、効率が向上しています。
UnitedSiCの750V製品ファミリに追加された新デバイスは、設計上の制約が少ないため、柔軟な導入が可能です。VDS定格が向上したFETとして、400/500Vのバス電圧用途に有効です。ゲート耐圧+/-20V、互換性に優れた5Vスレッショルドのゲート駆動性能により、どのデバイスも0～+12Vのゲート電圧で駆動可能です。そのため、既存のSiC MOSFET、Si IGBT、Si MOSFETゲートドライバーとの併用が可能になっています。
UnitedSiCでエンジニアリング担当バイスプレジデントを務めるAnup Bhallaは、次のように述べています。「これらのデバイスは、高い電圧と電力性能により、DC-DC変換、オンボード充電、力率補正、ソーラーインバーターなど、さまざまな領域にわたってエンジニアのニーズに応えます。当社は今後9ヵ月をかけて、コストパフォーマンス、熱効率、設計上の柔軟性を向上させた、さまざまなGen 4デバイスを発表する予定です。あらゆる分野で、大量導入に伴う課題を解決し、イノベーションの加速に貢献します」
新750V Gen 4 SiC FETの価格と納期については、UnitedSiC国内正規販売代理店である株式会社マクニカ アルティマ カンパニーまでお問い合わせください(メール: unitedsic_support@macnica.co.jp )。
UnitedSiCについて
UnitedSiC（www.unitedsic.com
）は、電気自動車（EV）充電器、DC-DCコンバータ、トラクションドライブ、通信/サーバー電源の可変速モータドライブ、太陽光発電インバータなどに、業界最高クラスの効率と性能を提供する、革新的なシリコンカーバイドFETおよびダイオードパワー半導体を開発しています。
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