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「#トランジスタ」の検索結果
世界初、イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタ開発に成功【情報通信研究機構】
2018年12月12日 世界初、イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタ開発に成功～汎用性の高いデバイスプロセスを採用、低コストGa2O3パワーデバイス量産への道筋～ 【ポイント】 ■ 高性能縦型酸化ガリウム（Ga2O3）トランジスタ作製技術の開発に成功 ■ 独自開発したシリコン、窒素をそ...
初の車載グレードのフォトトランジスタ・ オプトカプラを発表【ビシェイジャパン】
2018年5月31日 ビシェイ社、初の車載グレードのフォトトランジスタ・ オプトカプラを発表 AEC-Q101 準拠の新デバイス、5 mAの順方向電流、SOP-4ミニフラット・ パッケージで提供 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代...
新規構造の高効率SiCパワートランジスタを開発【住友電気工業】
2015年6月4日 当社は、次世代パワー半導体として有望視される炭化珪素（SiC）を材料とする、独自構造のパワートランジスタを開発し、EV/HEV（電気自動車／ハイブリッド電気自動車）や太陽光パワーコンディショナなどの用途に適した、低オン抵抗、高安定性などの優れた特長を実現しました。 近年、省エネルギー化の要求...
ハイブリッド車や電気自動車向けの耐圧600Vの車載用IGBTを2品種発売【IRジャパン】
2014年12月5日 ～ エアコン用コンプレッサなど小型モータ駆動の費用対効果を向上 ～ パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）㈱（本社：東京都新宿区）は5日、電気自動車やハイブリッド車のエアコン用コンプレッサなどの小型補助モー...
パワー半導体「SJ MOSトランジスタ」のライセンス供与について【デンソー】
2013年2月27日 ～デンソー独自の形成技術により、電源機器の省電力化、小型化に寄与～ ㈱デンソー（本社：愛知県刈谷市、社長：加藤 宣明）は、世界トップクラス【注1】の低オン抵抗【注2】を実現した、パワー半導体「SJ MOS （Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor） トランジスタ」を、半導体・電子部品メー...
ダイヤモンド半導体による接合型電界効果トランジスターの動作に成功【科学技術振興機構/東京工業大学/産業技術総合研究所】
2012年8月23日 ポイント 究極の半導体物性を持つダイヤモンドで新たなスイッチング素子開発に成功 高いオン・オフ比と鋭い立ち上がりを持つことを確認 家電、自然エネルギー、自動車技術に不可欠なパワートランジスターの実現に期待 JST 課題達成型基礎研究の一環として、東京工業大学の波多野 睦子...
車載用IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランンジスタ）シリーズ3品種を発売【IRジャパン】
2012年7月25日 インターナショナル・レクティファイアー車載用IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランンジスタ）シリーズ3品種を発売～ 耐圧600Vで小型パッケージD2Pakに搭載、ハイブリッド車や電気自動車向け～ パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャ...
耐圧1200Vの車載用IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランンジスタ）を発売【IRジャパン】
2012年4月17日 ～ 電気自動車やハイブリッド車のソフト・スイッチング向け ～ パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）㈱（本社：東京都豊島 区）は17日、耐圧1200Vの車載用IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）「AUIRGDC025...
業界初のMOSFET内蔵100V同期整流降圧型レギュレータを発表【日本テキサス・インスツルメンツ】
2012年1月26日 高耐圧アプリケーションのPCB面積低減と信頼性向上を実現する新しい高集積ピン互換ICファミリ 日本テキサス・インスツルメンツは、業界初のMOSFET内蔵100V同期整流降圧型レギュレータを発表し、高耐圧POL（ポイント・オブ・ロード）製品のラインナップをさらに拡充しました。600mAの『LM5017』は、テレ...
自動車の室内灯等向けに低損失化を実現したパワー半導体（サーマルFET）を発売【ルネサス エレクトロニクス】
2011年12月20日 ～当社従来比約25%の損失（オン抵抗）低減により、機器の省電力化、小型化に貢献～ ルネサス エレクトロニクス㈱（代表取締役社長：赤尾 泰、以下ルネサス）はこのたび、自動車の室内灯スイッチ、およびエンジン制御用ソレノイドや各種センサの駆動用のパワー半導体「サーマルFET（過熱遮断機能内蔵型M...
