「#トランジスタ」の検索結果

インバータの小型化・省電力化に貢献 世界初※）還流ダイオードを一体化したSiCパワートランジスタを開発【パナソニック】

2011年12月19日※2011年12月19日現在、当社調べ。 要旨 パナソニック㈱は、高耐圧の次世代パワーデバイスとして期待されているSiC（炭化ケイ素）パワーデバイス［1］ において、モータなどをインバータ［2］ で駆動する場合、エネルギ放出のために必須であった外付けダイオード（還流ダイオード[3] ）を一体化したSi...

標準TOパッケージによる 100%鉛フリー・パワーMOSFETの車載適合品を発表【インフィニオンテクノロジーズ】

2011年12月5日 独インフィニオンテクノロジーズ（Infineon Technologies AG ）は12月5日、TOパッケージによる100%鉛フリー・パワーMOSFETの車載適合品を発表しました。これは、革新的なパッケージ技術とインフィニオンのウェハ薄型化技術の組み合わせにより誕生した、新登場のパワーMOSFET「OptiMOS™ T2」ファミリの40V...

世界で初めてオン抵抗1mΩ・cm2の壁を破る※1 超低損失SiCトレンチMOSFETを開発【ローム】

2011年12月5日 半導体メーカーのローム㈱（本社：京都市）は、このほど、超低損失SiCトレンチMOSFETを開発しました。600Vでは0.79mΩ・cm2 、1200Vでは 1.41mΩ・cm2という※1世界最小の超低オン抵抗を実現しており、1mΩ・cm2以下のオン抵抗を実現したのは世界初の快挙となります。今回の開発成果は、従来のSi-MOSFETに比...

車載用IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランンジスタ）シリーズ4品種を発売【IRジャパン】

2011年10月12日 インターナショナル・レクティファイアー車載用IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランンジスタ）シリーズ4品種を発売～ 耐圧600Vで電気自動車やハイブリッド車に最適化 ～ パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）株式...

複数の耐圧を持つ中高耐圧トランジスタを1チップ化する技術を開発【日立製作所】

株式会社日立製作所(執行役社長 : 中西 宏明／以下、日立)は、計測機器や医療機器、自動車の動力制御などに適用するための中高耐圧半導体集積回路の小型化、高性能化に向け、35V～200V間の異なる耐圧を持つトランジスタを1チップ化する技術と、ゲート耐圧が300Vを超えるトランジスタの開発に成功しました。5月23日から...

高効率DC-DCコンバータ向け車載用パワーMOSFETのチップ・セットを発売【IRジャパン】

インターナショナル・レクティファイアー高効率DC-DCコンバータ向け車載用パワーMOSFETのチップ・セットを発売〜 第2世代の小型金属パッケージDirectFET®2を採用 〜 パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）株式会社（本社：東京都豊...

３次元構造を採用した新型トランジスターを実用化へ【インテルコーポレーション】

～かつてない省電力とパフォーマンス向上を実現する次世代22nmプロセス技術～ インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）は本日、電子機器の微細な構成要素であるトランジスターの進化において、革新的な成果を達成したことを発表しました。シリコン・トランジスターは、50年以上前に発明...