府省の枠を越えSIPパワーエレクトロニクスプロジェクト始動へ【NEDO】

2014年9月12日

―さらなる省エネルギー化と産業競争力強化のために―

NEDOは、省エネルギー化のためのキーテクノロジーであるパワーエレクトロニクス^※1の性能向上や用途と普及の拡大を図り、一層の省エネルギー化の推進と産業競争力の強化を進めるため、11テーマの委託事業を開始します。
本事業は、内閣府が推進するSIP（戦略的イノベーション創造プログラム）の課題の一つである「次世代パワーエレクトロニクス」を、同テーマの管理法人としてNEDOが実施するものです。本事業の期間は2018年度末までの5年間です。
本事業の成果は、応用システム開発を中心とした事業^※2への橋渡しを行うことなどにより、早期の実用化・事業化を目指します。

【用語解説】
※1 パワーエレクトロニクス：半導体素子を用いて電力の変換や制御を行う技術。例えば、太陽光発電の直流・交流変換や電車のモータ制御などに用いられている。2014年9月12日

※2 「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト」研究開発項目〔3〕次世代パワーエレクトロニクス応用システム開発 2014～2019年度。

1．事業概要

本事業は、内閣府が推進するSIP（戦略的イノベーション創造プログラム）の10課題の一つである「次世代パワーエレクトロニクス」を、同テーマの管理法人としてNEDOが実施するものです。
戦略的イノベーション創造プログラムとは、総合科学技術・イノベーション会議が司令塔機能を発揮して、府省の枠や旧来の分野の枠を超えたマネジメントに主導的な役割を果たすことを通じて、科学技術イノベーションを実現するために新たに創設されたプログラムです。課題ごとにプログラムディレクターを選定しており、本事業では、大森達夫氏（三菱電機㈱開発本部役員技監）をプログラムディレクターとして、基礎研究から出口（実用化・事業化）までを見据え、規制・制度改革を含めた取組を推進します。

本事業では、以下の4つの研究開発項目を実施します。

● 研究開発項目I SiC^※3に関する拠点型共通基盤技術開発
（高耐圧化、小型化、低損失化、信頼性向上）

● 研究開発項目II GaN^※4に関する拠点型共通基盤技術開発
（ウエハ及びデバイスの高品質化）

● 研究開発項目III 次世代パワーモジュールの応用に関する基盤研究開発
（回路、使いこなし技術）

● 研究開発項目IV 将来のパワーエレクトロニクスを支える基盤研究開発
（新材料、新構造等）

2．委託テーマ及び予定先一覧

本事業では、以下の11テーマを委託事業として実施する予定です。

3．問い合わせ先

（本ニュースリリースの内容についての問い合わせ先）
NEDO 電子・材料・ナノテクノロジー部 TEL ： 044-520-5211

（その他NEDO事業についての一般的な問い合わせ先）
NEDO 広報部 TEL ： 044-520-5151 E-mail ： nedo_press@ml.nedo.go.jp

【用語解説】
※3 SiC ：シリコンカーバイド（炭化ケイ素）。ケイ素と炭素の化合物で、これを用いて作った半導体デバイスを従来のシリコン半導体デバイスに比べると、内部の電力損失が1/100と小さく、高い周波数・高い温度（300℃程度まで。Siの場合は100℃程度まで）で使用することができる。

※4 GaN ：窒化ガリウム。ガリウムと窒素の化合物で、これを用いて作った半導体デバイスは、SiCと同様に電力変換時の損失が小さく、より高速でスイッチングできるという特徴があり、次世代パワーエレクトロニクスの材料として期待されている。

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