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誘導負荷に強いアクティブクランプ構造を採用したリレー駆動用MOSFET「SSM3K337R」の発売について【東芝】
2013年6月21日
当社は、リレーなどの誘導負荷に強いアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K337R」を製品化し、9月から量産を開始します。
リレー駆動用MOSFETは、高機能化に伴い電装数が増加傾向にある自動車用途向けを中心に需要が高まっています。
本製品は当社従来品と比較してオン抵抗を約1/2に低減し、更にパッケージの変更により放熱性を約1.6倍改善しました。
主な特長
■ 誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
■ オン抵抗を約1/2に低減
■ SOT-23Fパッケージ採用により放熱性を約1.6倍改善
主な仕様
■ 製品の詳細はホームページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/new_products/transistor/1323380_37636.html
■ お客様からの製品に関するお問い合わせ先 ：
小信号デバイス営業推進部 Tel ： 03-3457-3411
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