SiCを採用したパワー半導体の量産について【東芝】

2013年3月19日

―　2020年にシェア30%を目指す　―

当社は、産業機器・車載機器向けに需要拡大が見込まれるパワー半導体分野において、シリコンカーバイド（SiC）を採用した製品を今月末から姫路半導体工場で量産を開始します。

第一弾として、電流の逆流を防ぐ整流素子であるショットキバリアダイオードを量産します。サーバー用電源や太陽光発電用パワーコンディショナーなどに適した製品で、従来のシリコン（Si）のダイオードに比べ電源用途で素子の損失として50%以上の低減が可能です（当社比較）。

SiCを採用したパワー半導体は従来のシリコン（Si）を採用した従来製品に比べて高電圧・大電流でも安定的に動作し、動作時に電力が熱として失われる電力損失を大幅に削減できます。従って、高効率化、小型化が求められる通信機器、サーバー、インバータなどの産業機器、鉄道・車載機器用途での高いニーズがあります。

SiCを採用したパワー半導体市場は2020年に現在の約10倍に成長すると予測されており、当社は今後も市場ニーズにマッチした新製品をラインアップ化することで事業を強化し、2020年にはシェア30%を目指します。

新製品の概要

本資料に掲載されている情報（製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

株式会社東芝ホームページはこちら