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xEV向けインバータに搭載するIGBTやSiC駆動用ゲートドライバICを開発【ルネサス エレクトロニクス】
2023年1月25日
xEV向けインバータに搭載するIGBTやSiC駆動用ゲートドライバICを開発
～絶縁耐圧3.75kVrmsにより、1200V耐圧のパワーデバイスに対応～
パワーデバイス駆動用ゲートドライバIC |
ルネサス エレクトロニクス株式会社（代表取締役社長兼CEO: 柴田 英利、以下ルネサス）は、このたび、xEV（電動車）のインバータに搭載するIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やSiC（炭化ケイ素）MOSFETを駆動するためのゲートドライバIC「RAJ2930004AGM」を開発しました。新製品は、本日よりサンプル出荷を開始し、量産は2024年第一四半期の予定です。
新製品は、2023年1月25日（水）から東京ビッグサイトで開催されるカーエレクトロニクス技術展のルネサスブース（東5ホール、ブースNo.43-52）に出展します。 ゲートドライバICは、低電圧ドメインで動作するインバータ制御マイコンからの制御信号を受け、内蔵のアイソレータを介して、高電圧のパワー半導体を駆動する役割を果たします。新製品は、xEVバッテリの高電圧化に対応すべく、絶縁耐圧を従来品の2.5kVrmsから3.75kVrmsまで強化したことにより、1200V耐圧のパワーデバイスにも使用できるようになります。また、通信の安定性やノイズ耐性の指標となるCMTI（コモンモード過渡耐圧）は、150V/ns（ナノ秒）以上を実現したことにより、より高い電圧や、より高速なスイッチングが求められるインバータシステムにおいても、安定した通信性能を維持できます。新製品は、ゲートドライバとしての基本機能を、小型のSOIC16パッケージに搭載したことにより、コスト効率の良いインバータシステムの実現が可能です。
新製品は、ルネサス製IGBTとの組み合わせのほか、他社製IGBTやSiC製品と組み合わせても使用できます。また、トラクションインバータだけでなく、オンボードチャージャやDC/DCコンバータ等のパワー半導体を駆動する他のアプリケーションにも幅広く使用できます。ルネサスは、新製品とマイコンやIGBT、パワーマネジメントIC等を組み合わせたxEV インバータキットソリューションを開発してきており、新製品を組み込んだキットを2023年上期中にリリース予定です。本ソリューションによって、ユーザがタイムリに製品を市場投入できることに貢献します。
ルネサスの車載アナログアプリケーションスペシフィック事業部、事業部長の大道 昭は次のように述べています。「ルネサスが車載用ゲートドライバICの第二世代品として、高耐圧かつ高CMTIの新製品を提供できることを嬉しく思います。今後は、パワーロスの削減やお客様のシステムにおける機能安全の実現に貢献できる製品を拡充していくことにより、xEV向けアプリケーション開発を強力に支援してまいります。」
新ゲートドライバIC「RAJ2930004AGM」の主な特長は以下の通りです。
●絶縁能力
○絶縁耐圧： 3.75kVrms
○CMTI（コモンモード過渡耐圧）: 150V/ns
●ゲート駆動能力
○出力ピーク電流： 10A
●保護/故障検出機能
○アクティブミラークランプ機能
○ソフトターンオフ機能
○過電流保護機能（DESAT保護機能）
○低電圧誤動作防止機能（UVLO）
○Fault フィードバック
●動作温度範囲 ：-40～125℃（Tj:150℃max）
新製品の詳細はこちらをご覧ください。
https://www.renesas.com/products/automotive-products/automotive-power-management/motor-and-solenoid-drivers/raj2930004agm-gate-driver-hevev
なお、本製品はコスト効率の良いインバータ実現によりEV普及を促進し、環境負荷の低減に貢献します。
以上
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