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車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFRAM、量産を開始【富士通セミコンダクター】
2021年7月6日
車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFRAM、量産を開始
～ 高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ ～
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作の4MビットFRAM「MB85RS4MTY」 の量産品提供を、今月から開始しました。
図1：MB85RS4MTYのパッケージ |
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/fram/device/spi-125c-4m-mb85rs4mty.html
本製品は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1に準拠しており、高信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム(ADAS)や高性能産業用ロボットに最適なメモリです。
図2：用途例（車載、産業機械） |
FRAMは、「高書換え耐性（書換え保証回数が多い）」、「高速書込み」、「低消費電力」の3つの特長で優位性をもつ不揮発性メモリで、これまでに20年以上の量産実績があります。
当社は2017年7月に最初の125℃動作FRAMの量産を開始して以来、その製品ファミリーを拡大しています。 今回、その中でも最大メモリ容量となる4Mビット品「MB85RS4MTY」の量産を開始しました。
図3：125℃動作FRAMのラインナップ |
本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、SPIインターフェースのFRAMです。高温環境においても10兆回のデータ書換え回数および50MHz動作時でも4mA以下の書込み電流という低消費電力を保証しています。パッケージは、リード無し8ピンDFN (Dual Flatpack No-leaded package)にて提供します。
現在、EEPROMや低消費電力SRAMをご使用中のお客様が次のような課題をお持ちの場合には、当社のFRAMによって解決できる場合があります。
●お客様の課題と解決案
図4：お客様の課題と解決案 |
１）現状： EEPROMをご使用の場合
課題： データをもっと頻繁に記録したいが、最大100万回の書換え制限があるため難しい
解決案：10兆回の書換えを保証するFRAMを使用
２）現状： EEPROMをご使用の場合
課題： 事故や停電のときに、書込み中のデータを保護する対策が必要
解決案：高速書込みにより、停電が起きてもデータ書換えが完了できるFRAMを使用
３）現状： SRAMをご使用の場合
課題： メンテナンスが面倒なSRAM用のバッテリーを無くしたい
解決案：不揮発性のFRAMを使用
つまり、FRAMへの置き換えによって、開発負担の低減、製品の高性能化、コストの削減などのメリットを期待することができます。
当社は、今後もお客様が要求するメモリ製品の開発を続けていきます。
●主な仕様
・製品名： MB85RS4MTY
・容量（構成）： 4Mビット（512K x 8ビット）
・インターフェース： SPI （シリアル・ペリフェラル・インターフェース）
・動作周波数： 50MHz （最大）
・動作電源電圧： 1.8V～3.6V
・動作温度範囲： -40℃～＋125℃
・書込み/読出し保証回数： 10兆回
・パッケージ： 8ピンDFN
・品質規格： AEC-Q100 グレード1準拠
●関連リンク
・富士通セミコンダクターメモリソリューション・トップページ
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/
・4MビットFRAM「MB85RS4MTY」製品紹介ページ
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/fram/device/spi-125c-4m-mb85rs4mty.html
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