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「#メモリ」の検索結果
125℃動作, I2Cインターフェースの512KビットFeRAMを開発【富士通セミコンダクターメモリソリューション】
2023年8月7日 125℃動作, I2Cインターフェースの512KビットFeRAMを開発 ～ 高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ ～ 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃での動作を保証するI2CインターフェースのFeRAM製品...
NSCore、車載半導体市場に向けた 生産性に優れた高信頼性不揮発メモリ技術を発表
2022年2月1日 NSCore、車載半導体市場に向けた 生産性に優れた高信頼性不揮発メモリ技術を発表 ～AEC-Q100 Grade-1規格準拠の長期信頼性試験に合格～ 福岡県に本社を置く不揮発メモリIPベンダー、株式会社NSCore(本社：福岡県福岡市、代表取締役社長兼CEO：堀内 忠彦、以...
microSDHCメモリーカード「KNA-SD16C」「KNA-SD32C」を発売【JVCケンウッド】
2022年1月12日 microSDHCメモリーカード「KNA-SD16C」「KNA-SD32C」を発売 耐久性が高く、長期間保存にも優れる3D NAND型のpSLC方式を採用、ドライブレコーダー内の記録を守る 株式会社JVCケンウッドは、ケンウッドブランドより、耐久性が高く、長時間保存にも優れる3D N...
DIMMの活用を広げる、産業グレードの動作温度範囲に対応したDDR5/DDR4向けレジスタードクロックドライバ（RCD）を発売【ルネサス エレクトロニクス】
2021年11月4日 DIMMの活用を広げる、産業グレードの動作温度範囲に対応した DDR5/DDR4向けレジスタードクロックドライバ（RCD）を発売 ～-40～105℃に対応したことにより、エッジコンピューティングや車載用途にDIMMを活用可能～ DIMMの活用を広げるDDR5/DDR4向け広温...
車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFRAM、量産を開始【富士通セミコンダクター】
2021年7月6日 車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFRAM、量産を開始 ～ 高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ ～ 富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作の4MビットFRAM「MB85RS4MTY」 の量産品提供を...
業界最速※3.5ms書き込み、125℃動作対応EEPROM「BR24H-5ACシリーズ」を開発【ローム】
2020年12月24日 業界最速※3.5ms書き込み、125℃動作対応EEPROM「BR24H-5ACシリーズ」を開発 電子機器出荷前の初期データ書き込み時間30%削減に貢献 ※2020年12月24日現在 ローム調べ ＜要旨＞ローム株式会社（本社：京都市）は、車載カメラ・センサの出荷時設定やエアバッグの作動履歴、常時通電が必要なFA機器やサー...
次世代 28nm プロセス車載制御マイコンに向けて、さらなる大容量化、高速読み出し、および OTA 対応を実現するフラッシュメモリ技術を開発【ルネサスエレクトロニクス】
2019年6月12日 ～マイコン内蔵フラッシュメモリとして世界最大の 24MB、世界最速の 240MHｚランダムアクセスを達成～ ルネサスエレクトロニクス株式会社（代表取締役社長兼 CEO：呉 文精、以下ルネサス）は、このたび 28nm フラッシュメモリ混載の車載制御用マイコンに向けて、大容量化、高速読み出し、および OTA ...
次世代超高速DRAM用テスト・システム「T5503HS2」を発表【アドバンテスト】
2018年4月4日 DDR5、LPDDR5を試験可能な業界唯一のテスト・システム 株式会社アドバンテスト（本社：東京都千代田区 社長：吉田 芳明）は、次世代の超高速DRAMを試験可能なテスト・システム「T5503HS2」を発表しました。 メモリ半導体市場は、モバイル機器やサーバの力強い需要に支えられ、従来のシリコンサイクルを...
世界初、16/14nm世代以降の高性能・高信頼性マイコンに向けて、フィン構造MONOSフラッシュメモリの大規模動作に成功【ルネサス エレクトロニクス】
2017年12月6日 世界初、16/14nm世代以降の高性能・高信頼性マイコンに向けて、フィン構造MONOSフラッシュメモリの大規模動作に成功〜最先端ロジックプロセスに混載可能な大容量フラッシュメモリ実現に向けて大きく前進〜 ルネサス エレクトロニクス㈱（代表取締役社長兼CEO:呉 文精、以下ルネサス）は、このたび...
世界初、16/14nm世代以降の高性能・高信頼性マイコンに向けてフィン構造MONOSフラッシュメモリセルの開発に成功【ルネサス エレクトロニクス】
2016年12月7日 世界初、16/14nm世代以降の高性能・高信頼性マイコンに向けてフィン構造MONOSフラッシュメモリセルの開発に成功～最先端高性能ロジックプロセスに組み込み可能な高信頼性の大容量混載フラッシュメモリ実現に目処～ ルネサス エレクトロニクス㈱（代表取締役社長兼CEO：呉 文精、以下ルネサス）は、この...
