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堅牢かつ電力効率に優れた高電圧・高精度の双方向電流センス・アンプを発表 【STマイクロエレクトロニクス】
2021年3月11日
堅牢かつ電力効率に優れた高電圧・高精度の双方向電流センス・アンプを発表
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STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、高電圧･高精度の双方向電流センス･アンプ「TSC2010」、「TSC2011」、および「TSC2012」を発表しました。これらの製品は、消費電力を最小限に抑えるためのシャットダウン端子により、優れた利便性を提供します。
TSC2010、TSC2011、およびTSC2012は、高精度の特性を活かし、低いシャント抵抗値を選択することで、電力損失を最小化することができます。最大±200µV（25°C）のオフセット電圧、最大5µV/°Cのオフセット･ドリフト、最大0.3%のゲイン･エラーを実現し、フルスケールで最小10mVまでの電圧降下を検出できるため、安定性と信頼性に優れた測定が可能です。
TSC2010は20V/V、TSC2011は60V/V、TSC2012は100V/Vと、3製品それぞれ異なるゲインで利用できるため、さまざまな産業用および車載用システムに合わせて、高精度の電流測定、過電流保護、電流モニタ、電流フィードバック回路を柔軟に構築することができます。データ取得、モータ制御、ソレノイド制御、計測、テストおよび測定、プロセス制御などのアプリケーションに適しています。
今回発表された電流センス･アンプはすべて、双方向の測定に対応しており、1つの検出回路で順方向 / 逆方向の電流を測定することで部材コストの削減に貢献します。また、ハイサイド接続とローサイド接続のどちらにも適しているため、同じ製品を両構成で使用し、設計を共通化することも可能です。
また、3製品ともに2.7V～5.5Vという幅広い電源電圧範囲を備え、より優れた柔軟性を提供します。広範な入力電圧に対応できるため、電源電圧にかかわらず、-20V～70Vのコモン･モード電圧範囲にわたる検出が可能です。高いゲイン帯域幅積と高速スルー･レート（TSC2010の場合、820kHzと7.5V/µs）により、高精度･高速応答を実現します。
さらに、内蔵EMIフィルタと2kV HBM（Human Body Model）のESD耐性により堅牢な性能を実現し、-40°C～125°Cの産業用温度範囲で動作します。
TSC2010、TSC2011、およびTSC2012に対応する評価キット「STEVAL-AETKT1V2」では、これら3製品を使用した開発を迅速に開始し、製品開発期間を短縮することができます。
TSC2010、TSC2011、およびTSC2012は現在入手可能で、Mini-SO8パッケージとSO8パッケージで提供されます。単価は、1,000個購入時に約0.90ドルです。また、車載対応製品の単価は1,000個購入時に約1.08ドルです。
詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
SSTは、約46,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な独立系総合半導体メーカーです。約10万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、IoT･5G通信の普及を可能にします。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com ）をご覧ください。
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