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6インチ口径炭化ケイ素シリコン（SiC）ウェハが「半導体オブ・ザ・イヤー」を受賞【新日本製鐵】
2012年6月18日
当社が開発した6インチ口径炭化ケイ素シリコン（SiC）ウェハが、このほど、「半導体オブ・ザ・イヤー」（半導体タイムズ社主催）の電子材料部門で「優秀賞」を受賞しました。
SiCウェハは、現在、半導体デバイスの製造に用いられているシリコンウェハに比べ、デバイスでの電力変換損失を半分以下に抑えることができます。また耐電圧性や耐熱性にも優れるため、太陽光発電や自動車（ハイブリッド車/電気自動車等）など、高電圧・高温で使用されるパワーエレクトロニクス分野に適した材料です。
このような優れた特性を持つSiCウェハを用いたパワー半導体デバイスが広く社会に普及することにより、各分野において大幅な電力損失低減が実現でき、大きな省エネルギー・CO2削減効果が期待されています。
このパワー半導体デバイスの量産・普及のキーとなる大口径のSiCウェハを開発した点が評価され、今回の受賞となりました。
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