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ファーストボディダイオードMOSFETを発表【ビシェイジャパン】
2016年5月6日
ビシェイ社、ファーストボディダイオードMOSFETを発表
産業、テレコム、再生可能エネルギー用途のソフトスイッチング向けに、
電圧ヘッドルームを増加
ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE：VSH 、日本法人：ビシェイジャパン㈱、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、ファーストボディダイオードNチャネルパワーMOSFETの新シリーズ、650V EFデバイスを発表しました。同社の600V製品ラインを拡大するビシェイSiliconixブランドのSiHx21N65EF、SiHx28N65EF、SiHG33N65EFは、産業、テレコム、再生可能エネルギー用途で、電圧ヘッドルームの増加を必要に応じて提供します。
本日リリースされたファーストボディダイオード650V MOSFETはEシリーズSuper Junction技術で設計されており、標準MOSFETと比べて10倍低い逆回復電荷（Qrr）を提供します。フルのブレークダウン電圧をより早くブロックすることで、位相ブリッジ、LLCコンバーター、3レベルインバータなど、ゼロ電圧スイッチング（ZVS）/ソフトスイッチングトポロジーの用途でシュートスルーや過熱ストレスを防止し、高い信頼性を実現します。
21 A SiHx21N65EFは5種のパッケージ、28 A SiHx28N65EFと33 A SiHG33N65EFは2種のパッケージで提供されます。それぞれ157mΩ、102mΩ、95mΩの低いオン抵抗と低いゲートチャージを特長とします。導通損失およびスイッチング損失を低減することができ、太陽光インバータ、サーバーやテレコムの電力システム、ATX /シルバーボックスPC SMPS、溶接、UPS、バッテリー充電器、電気自動車の充電所、LED、HIDや蛍光灯バラスト照明などの高電力、高性能のスイッチモード電源アプリケーションに最適です。
これらのデバイスはアバランシェおよび整流モードで高エネルギーパルスに耐えるべく設計されて、全数UIS検査により限界値が保証され、RoHSにも適合するハロゲンフリー品です。
デバイス仕様表 ：
サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は16～18週間です。
ビシェイ・インターテクノロジー社について
ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場（VSH）のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 （ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等）および受動電子部品 （抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等） メーカーのひとつです。 同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。 詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。http://www.vishay.com
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