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AEC-Q101準拠の3.3mm×3.3mmサイズMOSFET「AG009DGQ3」を開発【ローム】
2016年9月13日※エンジンECU部において AEC-Q101準拠の3.3mm×3.3mmサイズMOSFET「AG009DGQ3」を開発業界最小クラス※でありながら、独自の端子・メッキ処理より実装の高信頼性を実現し、車載用途に最適 ＜要旨＞ローム㈱（本社：京都市）は、エンジンECU*1部をはじめ、電装化が進む各種車載アプリケーションに向けてAEC-...
世界初！反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功【産総研】
2016年8月22日 世界初！反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功－省エネ社会に大きく貢献する究極のパワーデバイスの実現へ－ 金沢大学理工研究域電子情報学系の松本翼助教、徳田規夫准教授らの研究グループ（薄膜電子工学研究室）は、国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤ...
600V・650V MOSFET Eシリーズ新製品をPowerPAK® SO-8Lで発表【ビシェイジャパン】
2016年7月11日 ビシェイ社、600V・650V MOSFET Eシリーズ新製品をPowerPAK® SO-8Lで発表信頼性の向上、パッケージインダクタンスの削減 TO-252 （DPAK）パッケージと比べて省スペース化を実現、照明、コンピューティング、民生アプリケーションに最適 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE...
FemtoFET MOSFET：砂粒ほどのサイズに、より狭小なピッチを実現【日本テキサス・インスツルメンツ】
2016年7月6日 砂粒とTIの最新FemtoFET™製品を比較した場合、どちらが小さいでしょうか？新たにリリースされたF3 FemtoFET（図1）のパッケージ・サイズは、わずか0.6mm×0.7mm×0.35mmと、砂粒に匹敵するほどの大きさです。 図1 ： F3 FemtoFETパッケージ・サイズ FemtoFETポートフォリオに追加された超低容量『CSD15380...
同期バック用途向けに、業界初のAEC-Q101準拠、12V・20V MOSFETをデュアル非対称型パッケージで発表【ビシェイジャパン】
2016年6月27日 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE：VSH 、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、車載向けの 高効率同期型バックコンバータ用途でのスペースと電力の節約を目的とする、業界初のAEC-Q101準拠、12V、20V MOSFETをデュアル非...
コネクテッド・カー向け小型パッケージ・パワーMOSFETを発表【NXPセミコンダクターズN.V.】
2016年5月31日 LFPAK33 MOSFETにより、セキュア・コネクション向け電源回路のサイズを低減 NXPセミコンダクターズN.V.は、放熱特性を強化したコンパクトなロス・フリー・パッケージ（LFPAK）に封止した車載パワーMOSFETの新ラインを発表しました。LFPAK33は現在最も普及しているソリューションに比べフットプリントを8...
ファーストボディダイオードMOSFETを発表【ビシェイジャパン】
2016年5月6日 ビシェイ社、ファーストボディダイオードMOSFETを発表産業、テレコム、再生可能エネルギー用途のソフトスイッチング向けに、電圧ヘッドルームを増加 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE：VSH 、日本法人：ビシェイジャパン㈱、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本...
車載用電源の小型化と環境負荷の軽減を実現する新しいパワーMOSFETを発表【STマイクロエレクトロニクス】
2015年12月18日 STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、車載アプリケーション向けに、高耐圧Nチャネル・パワーMOSFETの新製品ファミリを発表しました。AEC-Q101に準拠するこれらの新製品には、STの最先端のスーパー・ジャンクション技術「MDmesh（TM） DM2」ならびにボディ・ダイオードの高速リカバリ特...
パワーMOSFET技術を強化【インターシル】
2015年9月11日 Great Wall Semiconductor社を買収。クラウド・コンピューティング、宇宙、コンシューマ機器にターゲット 革新的なパワーマネジメントと高精度アナログ・ソリューションのプロバイダとして世界をリードするインターシル（本社：米国カリフォルニア州ミルピタス、NASDAQ：ISIL）は、クラウド・コンピュー...
窒化ガリウムによる低損失パワー半導体デバイス技術を開発【豊田合成】
2015年5月14日 ～「TECHNO-FRONTIER 2015」に出品～窒化ガリウムによる低損失パワー半導体デバイス技術を開発 豊田合成㈱（本社：愛知県清須市、社長：荒島 正）は、青色LEDの主要材料であり、高い電圧にも耐えられること等の優れた物理特性を有する窒化ガリウム（GaN）を用いて、低損失パワー半導体デバイス※1技術を...
