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電力性能に優れた車載グレードのスーパー・ジャンクション型シリコンMOSFETを発表【STマイクロエレクトロニクス】
2024年3月18日 電力性能に優れた車載グレードのスーパー・ジャンクション型シリコンMOSFETを発表 STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、車載グレードの600V / 650V耐圧スーパー･ジャンクション型シリコンMOSFET「STPOWER MDmesh DM9 AGシリ...
逆接続・逆電流防止用High-side Nch-MOSFETゲートドライバIC発売【新電元工業】
2024年3月7日 逆接続・逆電流防止用High-side Nch-MOSFETゲートドライバIC発売 理想ダイオードとして車載機器の小型化、低損失化に貢献 新電元工業は、逆接続保護・逆電流防止用途にHigh-side Nch-MOSFETゲートドライバIC「MF2007SW」を発売しました。本...
AEC-Q101準拠、高耐圧900V MOSFETを発売【新電元工業】
2024年2月16日 AEC-Q101準拠、高耐圧900V MOSFETを発売 車載機器の信頼性向上に貢献 新電元工業は、車載対応の高耐圧MOSFET「VX3シリーズ」に新たに900V耐圧1Aおよび2Aの2機種をラインアップに追加し、４月に発売します。ESD耐量を向上し、車載信頼性規格のAEC-Q101に準...
STマイクロエレクトロニクスのSiC MOSFET、ZINSIGHTのNEV用電動コンプレッサ・コントローラの効率向上に貢献
2024年2月1日 STマイクロエレクトロニクスのSiC MOSFET、ZINSIGHTのNEV用電動コンプレッサ・コントローラの効率向上に貢献 夏季および冬季に電気自動車の航続距離を延長し、総所有コストを削減 多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーの...
xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール新製品「J3シリーズ」サンプル提供開始【三菱電機】
2024年1月23日 xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール新製品「J3シリーズ」サンプル提供開始 新開発の小型T-PMと豊富なラインアップで、xEV用インバーターの小型化等に対応 リリース全文 (PDF:366KB) xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」 J3-T-P...
STマイクロエレクトロニクスのSiC製品、理想汽車が高電圧EV市場への参入加速に向けて採用
2024年1月17日 STマイクロエレクトロニクスのSiC製品、理想汽車が高電圧EV市場への参入加速に向けて採用 多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、中国の新エネルギー車市場の大手...
リテルヒューズ、車載用グレードPolarP（TM） P チャンネルパワーMOSFETを発表
2023年11月8日 リテルヒューズ、車載用グレードPolarP（TM） P チャンネルパワーMOSFETを発表 回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都...
オンセミのM3S EliteSiC MOSFET、EVバッテリの大容量化に伴う各種課題を解決
2023年8月23日 オンセミのM3S EliteSiC MOSFET、EVバッテリの大容量化に伴う各種課題を解決 バッテリの小サイズ化、周辺部品の削減、充電時間短縮に貢献 インテリジェントなパワーおよびセンシング技術のリーディング・サプライヤであるオンセミ（onsemi...
車載機器の小型化と高放熱性に貢献する新パッケージの40V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について【東芝デバイス＆ストレージ】
2023年8月17日 車載機器の小型化と高放熱性に貢献する新パッケージの40V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について 当社は、車載機器向けに、新パッケージS-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) に当社U-MOSⅨ-Hプロセスのチップを搭載した40V耐圧Nチャネル...
導通損失を55%低減、逆接続・逆電流防止用の理想ダイオードIC発売【新電元工業】
2023年5月30日 導通損失を55%低減、逆接続・逆電流防止用の理想ダイオードIC発売 ～低損失なデバイスで機器の小型化に貢献～ 新電元工業は、逆接続保護・逆電流防止用途に理想ダイオードIC V-Diode(TM)「MF2003SV」を発売しました。本製品はPch MOSFETと逆接続保護・逆...
