「#ダイオード」の検索結果

一般整流、ショットキー、FRED Pt®ダイオードを発表 SMFパッケージにより電力密度を向上【ビシェイジャパン】

2015年1月7日 AEC-Q101に準拠の製品が車載用途でスペースの削減と性能の向上に貢献 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人：ビシェイジャパン㈱、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、6種の整流ダイオードを低背で小型の表面実装型SMF （DO-219AB）eSMP®パッケ...

車載グレードPINフォトダイオードを発表7.5mm2の感光面積を薄型パッケージで提供【ビシェイジャパン】

2014年12月19日 AEC-Q101準拠のSMDデバイス、48μAの高い逆方向光電流、2nAの低い暗電流を提供 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人：ビシェイジャパン㈱、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、同社のオプトエレクトロニクス製品ポートフォリオを拡大し、2種の...

車載グレードのPINフォトダイオードを発表 9.5μAの高い逆方向光電流を実現【ビシェイジャパン】

2014年9月12日 AEC-Q101準拠のデバイス、感光面積は0.85mm2、1206表面実装型パッケージで提供 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人：ビシェイジャパン㈱、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、同社のオプトエレクトロニクス製品ポートフォリオを拡大し、2種の...

SiCを採用したパワー半導体の量産について【東芝】

2013年3月19日 ―　2020年にシェア30%を目指す　― 当社は、産業機器・車載機器向けに需要拡大が見込まれるパワー半導体分野において、シリコンカーバイド（SiC）を採用した製品を今月末から姫路半導体工場で量産を開始します。 第一弾として、電流の逆流を防ぐ整流素子であるショットキバリアダイオードを量産します...

ミリ波レーダなどの開発に応用可能なMOS可変容量ダイオードの設計モデル手法を開発【東芝】

2012年12月17日 －直流帯からミリ波帯まで一つのモデルで高精度に特性を再現－ 当社は、岡山県立大学情報工学部情報通信工学科集積回路工学研究室　 伊藤信之教授と共同で、直流帯から高周波のミリ波帯まで高精度に特性を再現できるMOS可変容量ダイオードのシミュレーションモデルを開発しました。 開発したモデル...

世界初　3,000V耐圧　窒化ガリウム縦型ダイオードの試作に成功【日立電線】

2012年9月3日 日立電線㈱（以下、「当社」）は、このたび、法政大学マイクロナノテクノロジー研究センター中村徹研究室（以下、「法政大学」）と㈱日立製作所中央研究所（以下、「日立製作所」）との共同研究により、世界で初めて*1 3,000V以上の高い逆方向耐圧かつ1mΩcm2程度の低い順方向のオン抵抗を持った窒化ガリウ...

高温環境下でも熱暴走しない超低IRショットキーバリアダイオードを開発 車載・電源機器の消費電力を約40%削減【ローム】

2012年5月31日 要旨 半導体メーカーのローム㈱（本社：京都市）はこのほど、車載・電源機器向けに、高温環境下でも使用可能な超低IRショットキーバリアダイオード「RBxx8シリーズ」を開発しました。従来、車載向けに使用されていた整流ダイオードに比べて、消費電力を約40％削減することが可能になり、電気自動車（EV...

世界初の電力増幅作用を持つダイヤモンドトランジスタ【産総研】

2011年9月2日 －省エネに大きく貢献する超低損失パワーデバイスの実現に道－ ポイント ● 低抵抗ダイヤモンド薄膜（高濃度不純物ドーピング層）を利用● ダイヤモンドバイポーラトランジスタを作製し、増幅率10を確認● 次世代省エネ社会実現につながるグリーンエレクトロニクス技術 概要 独立行政法人 産業技術総合...