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「#MOSFET」の検索結果
高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について【東芝デバイス&ストレージ】
2023年1月31日 高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について 当社は、高放熱の新パッケージL-TOGL™(Large Transistor Outline Gull-wing Leads)を採用し、高ドレイン電...
マウザー、エンジニア向け自動車設計の最新トレンド情報を新たに提供開始
2022年11月29日 マウザー、エンジニア向け自動車設計の最新トレンド情報を新たに提供開始 半導体と電子部品の幅広い品揃え™と新製品投入(New Product Introduction: NPI)のリーディング・ディストリビュータであるMouser Electronics(マウザー・エレクトロニクス 本社...
オンセミ、革新的なトップサイド冷却パッケージを採用したMOSFETを発表
2022年11月16日 オンセミ、革新的なトップサイド冷却パッケージを採用したMOSFETを発表 トップサイド冷却により、小型パワーソリューションの設計を簡素化し、コストを削減 インテリジェントなパワーおよびセンシング技術のリーディング・サプライヤである...
低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発【東芝デバイス&ストレージ】
2022年7月22日 低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減したSiC MOSFETを開発 当社は、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に削減したSiC(炭化ケイ素) MOSFET注1を開発しました。本技術により、当社の第二世代SiC MOSFET製品と比較して電力のオンとオフが切り替わ...
1200V耐圧SiC MOSFET ディスクリート製品の販売開始【三社電機製作所】
2022年4月12日 1200V耐圧SiC MOSFET ディスクリート製品の販売開始 高信頼性と低損失を実現 株式会社三社電機製作所(本社:大阪市)はこのたび、高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造のTO-247パッケージを採用したSiC MOSFETの電流容量50A品を2022年4月より...
NXPと日立エナジー、パワー・モジュール分野で提携し、eモビリティでのシリコンカーバイド半導体技術の普及を促進
2022年3月30日 NXPと日立エナジー、パワー・モジュール分野で提携し、eモビリティでのシリコンカーバイド半導体技術の普及を促進 NXP Semiconductorsはeモビリティにおけるシリコンカーバイド(SiC)のパワー半導体モジュールの普及促進に向けて、 日立エナ...
車載バッテリーの高電圧化に対応した1500V車載フォトリレーの発売について【東芝デバイス&ストレージ】
2022年1月20日 車載バッテリーの高電圧化に対応した1500V車載フォトリレーの発売について 当社は、車載バッテリーの高電圧化に対応するため当社初の最大阻止電圧1500Vを実現したSO16L-Tパッケージの車載フォトリレー「TLX9160T」を製品化し、本日から出...
次世代EVおよび産業機器に最適な第3世代 SiCパワーMOSFETを発表【STマイクロエレクトロニクス】
2021年12月21日 次世代EVおよび産業機器に最適な第3世代 SiCパワーMOSFETを発表 ・eモビリティや高電力効率の産業機器において、性能と信頼性の向上に貢献する最新世代SiCパワーMOSFET ・SiCへの継続的な長期投資により、将来の成長に向けた基盤を構築 ...
開発期間の短縮と最大50%のスイッチング損失低減を実現するSiC MOSFET用デジタル ゲートドライバを発表【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】
2021年9月21日 Microchip、開発期間の短縮と最大50%のスイッチング損失低減を実現する SiC MOSFET用デジタル ゲートドライバを発表 [NASDAQ: MCHP] – 排出量低減目標を達成するために電気バス等の電動車両に対する需要が増すにつれ、シリコン カーバイド(SiC)を使...
厳しい車載環境に対応したMCU、ディスプレイドライバ、モータドライバ、インターコネクトソリューション等の新製品の取り扱いを開始【マウザー エレクトロニクス】
2021年8月30日 マウザー、厳しい車載環境に対応したMCU、ディスプレイドライバ、モータドライバ、 インターコネクトソリューション等の新製品の取り扱いを開始 最新の半導体及び電子部品の幅広い品揃えと、新製品をいち早く市場に投入することに注力する、ネット販売商社...