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超低オン抵抗が特徴の耐圧60VのパワーMOSFETファミリーを発売【IRジャパン】
2014年4月22日
～産業用途向けでStrongIRFET™ファミリーの拡張～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）㈱（本社：東京都新宿区）は22日、パワーMOSFETのStrongIRFET™ファミリーのポートフォリオを拡大し、多様な産業用途向けに耐圧60Vのファミリーを製品化しました。電動工具、小型電動車両（LEV）のインバータ、直流モーターの駆動、リチウムイオン電池パックの保護、スイッチング電源（SMPS）の2次側同期整流など、さまざまな産業用途に最適です。
耐圧60VのStrongIRFET™パワーMOSFETの新しいファミリーは、低い周波数の用途における特性を改善するための極めて低いオン抵抗（内部抵抗）、大電流供給能力、ソフト・ボディ・ダイオード、雑音耐性を高めるための3V（標準値）のゲートしきい電圧という特徴を備えています。このファミリーの各デバイスは、産業用途で要求される最も丈夫なソリューションを保証するために、業界で最も大きなアバランシェ電流レベルで、100％アバランシェ・テストされています。このファミリーでは、挿入実装用パッケージの製品（表1）と、表面実装用パッケージD2Pakの製品（表2）を用意しました。
IR社の耐圧60VのStrongIRFET™デバイスは、超低オン抵抗が特徴で、丈夫さを保証するために、産業用途で要求されるレベルのアバランシェ・テストを100％実施しています。産業市場向けに最適化し、ベンチマークとなる特性のMOSFETの広い選択肢を提供します。
各デバイスのデータシートとSpiceモデルは、IR社のウエブサイト（http://www.irf.com）で入手できます。
＜価格＞
IRFB7530の1万個購入時の単価は、1.46米ドルからの予定です（米国での参考価格）。データシートと画像データはIRジャパンのホームページ（www.irf-japan.com）からも入手できます。
表1 耐圧60Vの StrongIRFET™ファミリーの仕様（挿入実装用パッケージ品）
注）最大ドレイン電流はパッケージ温度25℃のときの値。オン抵抗とゲート電荷は、ゲート-ソース間電圧10Vのときの値。
表2 耐圧60Vの StrongIRFET™ファミリーの仕様（表面実装用D²Pak品）
注）最大ドレイン電流はパッケージ温度25℃のときの値。オン抵抗とゲート電荷は、ゲート-ソース間電圧10Vのときの値。
＜インターナショナル・レクティファイアー（IR®）社について＞
IR社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ/デジタル混在IC、最先端デバイス、電源のシステムや部品は、コンピュータの性能向上や、世界で最も電力消費の大きいモーターの省エネに貢献しています。コンピュータ、省エネ家電、照明器具、自動車、衛星・航空・防衛システムなどの主な製造企業は、次期製品の性能向上のためにIR社のパワー・マネジメント・ソリューションに頼っています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ホームページはhttp://www.irf.comです。
＜商標に関する注意＞
注 ： StrongIRFET™は、International Rectifier Corporationの商標です。IR®は、International Rectifier Corporationの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。
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