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AEC-Q101準拠の初のThunderFET®シリーズ MOSFETを発表【ビシェイジャパン】
2014年3月5日
PowerPAK® SO-8LおよびDPAKパッケージの100V Nチャネルデバイス、
8.9mΩの低いRDS（ON）、5mmx6mmの実装面積
ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH、日本法人：ビシェイジャパン㈱、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、AEC-Q101に準拠した初のThunderFET®シリーズとなるTrenchFET®パワーMOSFETを発表しました。ビシェイ・シリコニスブランドの100V NチャネルSQJ402EP、SQJ488EP、SQD50N10-8m9Lは、極めて低いオン抵抗をPowerPAK® SO-8LおよびDPAKパッケージで提供し、車載用途向けに効率性の向上、省スペース化を実現します。
ビシェイ社のThunderFETシリーズはチップ当たりのオン抵抗を低減したMOSFETです。低オン抵抗を重視するアプリケーションで、DPAKパッケージのSQD50N10-8m9Lは、10Vで8.9mΩの極めて低いオン抵抗値を提供します。スペース重視のアプリケーションでは、5mmx6mmの小型PowerPAK® SO-8LパッケージのSQJ402EPおよびSQJ488EPが、DPAKの半分のパッケージサイズで10Vで11mΩと同等の値を提供します。
本日リリースされたMOSFETは、50Aの連続ドレイン電流を提供し、自動車のエンジン制御ユニットにおける燃料効率の増加、照明制御ユニットのバラスト照明におけるフライバックコンバータなどに最適です。18nCの低いゲート電荷は、DC/DCコンバーターアプリケーションでの高いMOSFET性能指数（FOM）（ゲート電荷とオン抵抗値の積）を提供し、スイッチング損失を減らし、全体のシステム効率を向上させます。
SQJ402EP、SQJ488EP、SQD50N10-8m9Lは全数RgおよびUIS試験済、JEDEC JS709Aに準拠するハロゲンフリー品でRoHS 指令2011/65/EUに適合します。動作温度範囲は-55°C～+175°Cです。
デバイス仕様表
SQJ402EP、SQJ488EP、SQD50N10-8m9Lは、ビシェイ社が最近リリースしたAEC-Q101認定の車載品質MOSFETSQシリーズの製品です。SQシリーズの製品一覧については
http://www.vishay.com/mosfets/automotive-mosfets/.をご参照ください。
サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は16週間です。
TrenchFET、PowerPAK、ThunderFET はSiliconix incorporated の登録商標です。
ビシェイ・インターテクノロジー社について
ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場（VSH）のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体（ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等）および受動電子部品（抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等） メーカーのひとつです。同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。http://www.vishay.com
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