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デュアルTrenchFET® MOSFET をAEC-Q101 準拠、非対称型PowerPAK® SO-8L パッケージで発表【ビシェイジャパン】
2013年12月13日
非対称型パッケージがローサイドMOSFETのオン抵抗を最適化、
同期式DC/DC コンバータのスペースを削減
ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE: VSH 、日本法人：ビシェイジャパン㈱、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、2種類のAEC-Q101に準拠する40VデュアルnチャネルTrenchFET® パワーMOSFETを非対称型PowerPAK® SO-8Lパッケージで発表しました。車載用途向けに開発されたVishay SiliconixブランドのSQJ940EPとSQJ942EP は、高効率な同期式DC/DCバックコンバータが必要とするハイサイドおよびローサイドMOSFETで構成されています。
ディスクリートMOSFETを使用するのに比べ、1つの小型5mmX6mmパッケージで省スペース化を実現し、同時に6.4mΩ以下のローサイドオン抵抗値を提供します。
本日発表されたMOSFETは、業界初の車載品質の非対称型パッケージのデュアルMOSFETで、導通損失低減のためローサイドMOSFETのサイズを向上、最大+175°Cの高温動作を提供し、車載用途に必要な耐久性と信頼性を実現します。デバイスは、ラジオやカーナビなどの自動車テレマティックスに最適です。
SQJ940EPとSQJ942EPでは、異なるオン抵抗値を選ぶことができます。SQJ940EPは、10Vの定格電圧で、チャネル2ローサイドMOSFETの最大のオン抵抗が6.4mΩと低く、チャネル1ハイサイドMOSFETは16mΩです。SQJ940EPは小型サイズを保ちながら、デュアル対称型ソリューションに比べ31%低いローサイドオン抵抗を提供します。SQJ942EPは、10VでローサイドMOSFETの最大オン抵抗が11mΩ、ハイサイドMOSFETは22mΩです。
MOSFETは、全数RgおよびUIS試験済み、RoHSに適合するハロゲンフリー品です。
デバイス仕様表 ：
サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は14～16週間です。
ビシェイ・インターテクノロジー社について
ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場（VSH）のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体（ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等）および受動電子部品（抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等） メーカーのひとつです。同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。http://www.vishay.com
TrenchFETとPowerPAKは、Siliconix社の登録商標です。
*製品写真につきましては、下記にお問い合わせください。
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