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自動車の電力効率を改善する新しいパワーMOSFETの量産を開始【STマイクロエレクトロニクス】
最新のパワー・デバイス技術が、
快適装備、ボディおよびパワー・トレインの電子回路における省エネ化や軽量化に貢献
エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的半導体メーカーで、車載用ICの主要サプライヤであるSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、STripFET(TM) VI DeepGATE(TM)技術を採用したパワーMOSFET製品シリーズを拡張しました。新たに加わった9種類の製品はオートモーティブ・グレードに対応しており、電力効率、サイズおよびコスト面のメリットを将来の自動車に提供します。
自動車メーカーにとって、電力効率に優れた電気システムの重要性がますます高まっています。これらのシステムは、パワー・ウィンドウ、ワイパー、ヒーター、エンジン制御装置、スタータ・オルタネータ、エネルギー回収システム等、様々な機器を管理します。特にハイブリッド・電気自動車は、走行可能距離を最大化するために効率的な電力管理が必要です。STの新しいパワーMOSFETは、電気的な駆動と制御により通常発生するエネルギー損失を最小限に抑えることで効率を向上させると共に、熱の発生を低減し、より小型・軽量サイズを可能にします。
AEC-Q101に準拠するこのパワーMOSFET（30V / 40V）は、STの先進的なSTripFET VI DeepGATE技術を採用しており、実効チップ・サイズに対して極めて低い導通損失を実現しています。また、低いオン抵抗範囲（3.0m～12.5mΩ）が特徴で、基板占有スペースが小さい業界標準の表面実装型パワー・パッケージ（DPAKまたはD2PAK）で提供されます。この新しいパワーMOSFETシリーズには、ロジック・レベルと標準レベルの両タイプが含まれています。
自動車向けの信頼性と堅牢性を確保するため、全製品にウェハ・レベルおよび完成品段階で、AEC-Q101認定に準拠する100%のアバランシェ試験を実施しています。これらの新製品は、自動車以外の広範な機器やアプリケーションにおける電源やパワー・ドライブの電力効率も向上させます。
主な特徴
● ブレークダウン電圧：30Vおよび40V
● 定格電流：44A～80A
● 標準スレッシュホールド駆動
● ロジック・レベル・デバイス
● 動作温度範囲：−55℃～175℃
● AEC-Q101認定準拠
現在、9種類の新製品が量産中です。単価は1,000個購入時に0.50ドル（高オン抵抗製品）～1.80ドル（ 低オン抵抗製品）です。
大量購入時の単価については、お問い合わせください。
詳細については、
http://www.st.com/jp/analog/class/824.jsp をご覧ください。
STripFETとDeepGATEは、STMicroelectronicsの商標です。
他のすべての商標は、それぞれの所有者の財産です。
STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）ポート
フォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することにより、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。
2010年の売上は103.5億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人：http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）：http://www.st.com
