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UnitedSiC（現Qorvo）、業界最高水準の特性値を持つ 1200V Gen4 SiC FET を発表
2022年5月11日
UnitedSiC（現Qorvo）、業界最高水準の特性値を持つ 1200V Gen4 SiC FET を発表
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2022 年 5 月 11 日 -世界をつなぎ、守るコア RF およびパワーソリューションのリーディングプロバイダである Qorvo® (Nasdaq:QRVO) は本日、業界最高レベルのオン抵抗値を持つ 1200V Silicon Carbide (SiC) Field Effect Transistor (FET) の次世代 シリーズを発表しました。 1200V
Gen4 SiC FETの新
シリーズUF4C/SCは、電気自動車用車載充電器、産業用充電器、産業用電源、DC/DCソーラーインバータ、さらに溶接機、無停電電源、誘導加熱アプリケーションなどの主流の800Vバスアーキテクチャに理想的な製品です。
UnitedSiC/Qorvo のパワーデバイス担当チーフエンジニアである Anup Bhalla は、次のように述べ ています。「1200V レンジをより高性能な Gen4 オプションで拡張することで、バス設計を 800V に移行するエンジニアにより良いサービスを提供することができます。電気自動車では、より高い電圧への移行は避けられません。4つの異なるRDS（on）クラスを持つこれらの新しいデバイスは、設計者があらゆる設計に最適なSiCを選択するのに役立ちます。”と述べています。
UF4C/SCシリーズでは、クラス最高レベルのSiC FETの特性として、次のような特長を備えています。
| 性能指数 | 価値
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| RDS(on) * A | 1.35 mΩ-cm2 |
| RDS(on) – Eoss | 0.78 Ω-uJ |
| RDS(on) – Coss,tr | 4.5 Ω-pF |
| RDS(on) – Qg | 0.9 Ω nC |
すべてのRDS(on)オプション（23、30、53、70mΩ）は、業界標準の4リード・ケルビンソースTO-247パッケージで提供され、より高い性能レベルでよりクリーンなスイッチングを実現します。53mΩと70mΩのデバイスは、TO-247 3リード・パッケージでも提供されています。このシリーズの部品は、高度な銀焼結ダイ・アタッチと高度なウェハ薄化プロセスの結果、よく管理された熱性能に基づく優れた信頼性を備えています。
1200V SiC FETはすべて、無料のオンライン設計ツールであるFET-Jet Calculator™に含まれており、さまざまなAC/DCおよび絶縁/非絶縁DC/DCコンバータ・トポロジで使用されるデバイスの効率、部品損失、接合部温度上昇を瞬時に評価することが可能です。最適なソリューションを実現するために、ユーザー指定の放熱条件下で単一デバイスと並列デバイスを比較することができます。
新しい 1200V 第 4 世代 SiC FET の価格（1000 個以上、FOB USA）は、$5.71 (UF4C120070K3S) から$14.14 (UF4SC120023K4S) です。すべてのデバイスは、正規代理店から入手可能です。
Qorvo のSiC製品および電源管理製品は、産業、商業、民生など幅広い用途で充電、給電、制御を行っています。
Qorvoについて
Qorvo (Nasdaq: QRVO) は、接続性の中心となる革新的な無線周波数（RF）ソリューションを提供することで、より良い世界を実現します。製品および技術のリーダーシップ、システムレベルの専門知識、グローバルな製造規模を組み合わせ、お客様の最も複雑な技術的課題を迅速に解決しています。Qorvo は、高度なワイヤレス機器、有線およびワイヤレスネットワーク、防衛レーダーおよび通信など、大規模な世界市場の多様な高成長セグメントにサービスを提供しています。また、独自の競争力を活用して、5G ネットワーク、クラウドコンピューティング、IoT、および人、場所、モノを相互接続するグローバルな枠組みを拡大するその他の新しいアプリケーションを推進しています。Qorvo がどのように世界をつなぐかについては、www.qorvo.comをご覧ください。
Qorvoは、米国およびその他の国におけるQorvo, Inc.の登録商標です。その他すべての商標は、それぞれの所有者に帰属します。
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