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新しい300mm半導体工場建設を来年開始【日本テキサス・インスツルメンツ】
2021年11月17日
新しい300mm半導体工場建設を来年開始
長期的な製造キャパシティへの投資により、コスト的優位をさらに強化し、サプライ・チェーンの管理を向上
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テキサス・インスツルメンツ（本社：米国テキサス州ダラス、会長、社長 兼CEO：リッチ・テンプルトン、以下 TI）は、テキサス州シャーマンの新しい300mm半導体工場（ファブ）の建設を来年開始する計画を発表しました。シャーマンは、将来的な半導体の需要を満たすために最大4つの工場建設の可能性があり、それによりエレクトロニクス、特に産業用および車載用市場で見込まれる半導体事業の継続的な成長に対応が可能となります。第一および第二ファブの建設は2022年に開始予定です。
TIの会長、社長兼最高経営責任者（CEO）であるリッチ・テンプルトンは次のように述べています。「シャーマンに建設予定のアナログ製品および組込みプロセッシング製品向け300mmファブは、製造とテクノロジにおけるTIの競争上の優位を引き続き強化するもので、TIの長期的なキャパシティ計画の一環です。テキサス州北部での取り組みは90年以上の長期にわたるものであり、今回の決定はシャーマンのコミュニティへのTIの強力なパートナーシップと投資の証しとなるものです」
新しい第一ファブでの生産は、2025年開始を見込んでいます。最大4つのファブを建設することで、この拠点への総投資額は約300億ドルに達する可能性があり、3,000人の直接雇用を支えることになります。
これらの新しいファブは、DMOS6（テキサス州ダラス）、RFAB1および2022年下半期に生産開始予定のRFAB2（ともにテキサス州リチャードソン）を含むTIの既存の300mmファブを補完するものです。さらに、TIが最近獲得したLFAB（ユタ州リーハイ）は2023年早々に生産開始予定です。
※すべての登録商標および商標はそれぞれの所有者に帰属します。
※米国で発表されリリースの抄訳です。原文はこちらをご参照ください。
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