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世界初のOctalNAND、W35N-JWファミリを発表【ウィンボンド・エレクトロニクス】
2020年2月17日
世界初のOctalNAND、W35N-JWファミリを発表
～1Gビット以上の容量帯で読出し最大240Mバイト／秒かつ低コスト化を実現～
台湾台中市- 2020年2月17日 — 半導体メモリソリューションの世界的サプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクスは本日、新製品「OctalNAND/W35N-JWファミリ」を発表しました。
新製品W35Nシリーズ
近年、NORフラッシュメモリにおいてスケーリングが限界を迎えつつあり、512Mビット以上の容量帯では車載や産業機器向けを中心に、特にコスト効率の低下が問題視されています。ウィンボンドはこの問題を解決すべく新たにOctalNANDを開発しました。NANDフラッシュメモリとして世界初のオクタル・インターフェースを持つウィンボンドのOctalNANDは、お客様に特別な追加費用なしで大容量コードストレージを提供します。
フラッシュメモリのトレンド
OctalNAND/W35N-JWファミリは、誤作動の許されない車載や産業機器用アプリケーションに必要な高耐久性と高信頼性を達成するため、ウィンボンドの46nmシングル・レベル・セル(SLC)NANDプロセスによって製造され、10年のデータ・リテンションと10万回のプログラム／イレースサイクルを提供します。
1GビットのW35N01JWはオクタル・インターフェースを持つ世界初のNAND製品です。連続読出しスループットは最大240Mバイト／秒であり、既存の高性能シリアルNANDフラッシュメモリ/W25N-JWファミリの3倍高速です。 また、デュアル・クワッド・シリアルNANDフラッシュメモリ/W72N-JWファミリよりも1.5倍高速です。
スループット比較
■ブートコードの高速実行とBOMコストの低減に貢献
車載用グラフィック・ディスプレイやADAS(Advanced Driver Assistance Systems/先進運転支援システム)などのアプリケーションでは、ブートコード・サイズが512Mビット以上であることが多々あります。従来は、信頼性が高く、読出しスループットが高速なNORフラッシュメモリが使用されてきました。ただし、NORフラッシュメモリはスケーリングが限界を迎えつつあり、512Mビット以上の容量では特にダイサイズが大きく、コストが高くなります。
NANDフラッシュメモリはスケーリングの点で優れており、1Gビット以上の容量帯において最適と言えます。しかし、従来のNANDフラッシュメモリは読出しスループットが低速であるというデメリットがありました。
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社、マーケティング&FAE部フラッシュメモリグループ統括部長代理の神永 雄大氏は次のように述べています。「ウィンボンドの新しいOctalNANDは1～4Gビットの容量帯において240Mバイト/秒の読出しスループットを実現します。これにより車載および産業機器メーカーのお客様は、同等のパフォーマンスをオクタルNORフラッシュメモリに求める場合に比べて数分の1のコストで享受できるようになります。」
ウィンボンドのOctalNAND/W35N-JWファミリは、オクタル NORフラッシュメモリと互換性を持つため、容易に置き換え可能です。さらに、シリアルNORフラッシュメモリとのフットプリント互換、また現在市場に出回っているXccela(TM)フラッシュメモリおよびオクタルNORフラッシュメモリと完全なピン互換性があります。車載業界の主要顧客は、新しい設計において、オクタル NORフラッシュメモリをウィンボンドのOctalNAND/W35N-JWファミリに置き換えることでブート時間の短縮とBOMコストの低減を実現可能です。
OctalNAND/W35N-JWファミリは、自動車の安全要件コンプライアンスに対する顧客アプローチをサポートするため、リセット端子を搭載しています。このリセット端子は同等のシリアル/オクタルNORフラッシュメモリの端子配列と互換性があります。
■OctalNAND/W35N-JWの仕様
W35N01JW 1Gb / W35N02JW 2Gb 1.8V OctalNAND
インターフェース ：Octal SPI Interface
バス幅 ：x1/x8
クロック周波数 ：最大 166MHz(SDR mode)、最大 120MHz(DDR mode)
電源電圧 ：1.7V～1.95V
読出し速度 ：最大 240Mバイト／秒
書込み速度 ：最大 16.9Mバイト／秒
エンデュランス ：10万回
データ・リテンション：10年
ECC ：1ビットECCをNANDフラッシュメモリチップ内に搭載
動作温度範囲 ：-40~85℃ (Industrial Grade)、
-40~105℃ (Automotive Grade 2)
パッケージ ：24-ball TFBGA 8×6mm
■Embedded WorldにてOctalNANDを展示
ウィンボンドは、2月25日から27日までドイツのニュルンベルグにて開催されるEmbedded World 2020に出展し、OctalNAND/W35N-JWのデモ展示を行います(ブース番号：4A-121)。
ウィンボンドのOctalNANDやW35N-JWファミリに関しての詳細は当社ウェブサイト( http://www.winbond.com )をご参照ください。
■ウィンボンド・エレクトロニクスについて
ウィンボンド・エレクトロニクスはトータルメモリソリューションプロバイダです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、およびコードストレージフラッシュメモリで、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。
台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港に子会社を有しています。
稼働中の台湾・台中の12インチファブ、および新たに建設を進めている高雄の12インチファブをベースに、高品質メモリ製品を提供するため、更なる自社技術開発を進めています。
詳細は、当社ウェブサイト http://www.winbond.com
をご参照ください。
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