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両面放熱により放熱性能を向上した新パッケージを採用、車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について【東芝デバイス&ストレージ】
2018年7月31日
当社は、両面放熱・低抵抗・小型化を図ったDSOP Advance(WF)パッケージを採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPWR7904PB」および「TPW1R104PB」を製品化しました。８月から量産、出荷を開始します。
新製品は、最新トレンチ構造のU-MOS IX-H (ユー・モス・ナイン・エイチ)シリーズのMOSFETチップを、DSOP Advance(WF)パッケージへ搭載することにより、高放熱・低オン抵抗特性を実現しました。これにより、導通損失による発熱をより効率的に放熱することが可能なため、放熱設計の自由度が上がります。 また、U-MOS IX-Hシリーズは従来シリーズ 「U-MOS IV (ユー・モス・フォー)」 に比べてスイッチングノイズが少なく、EMI[注1]の低減に貢献できます。
DSOP Advance(WF)パッケージは、ウェッタブルフランク構造[注2]を採用しています。
応用機器
電動パワーステアリング(EPS)
ロードスイッチ
電動ポンプ
新製品の主な特長
車載用途に適したAEC-Q101適合
トッププレート[注3]とドレイン電極による両面放熱パッケージ
ウェッタブルフランク構造[注2]によるAOI視認性向上
低オン抵抗、低ノイズ特性のU-MOSⅨ-Hシリーズ
新製品の主な仕様
(@Ta=25℃)
| 品番 | 絶対最大定格 | ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) max(mΩ) |
ゲート・ソース間 ツェナーダイオードの有無 
|
シリーズ |
パッケージ |
||
| ドレイン・ソース間 電圧VDSS (V)
| ドレイン 電流(DC)ID (A)
| @VGS＝6V | @VGS= 10V | ||||
| TPWR7904PB | 40 | 150 | 1.3 | 0.79 | No | U-MOS IX-H | DSOP Advance(WF)L |
| TPW1R104PB | 120 | 1.96 | 1.14 | DSOP Advance(WF)M | |||
[注1] EMI (Electromagnetic interference): 電磁妨害
[注2] ウェッタブルフランク構造: 基板実装状態の自動外観検査 (AOI: Automated Optical Inspection) が可能な端子構造
[注3] トッププレートは、 ソースと同電位電極としての使用は想定外。
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
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