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同期バック用途向けに、業界初のAEC-Q101準拠、12V・20V MOSFETをデュアル非対称型パッケージで発表【ビシェイジャパン】
2016年6月27日
ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア州、NYSE：VSH 、日本法人：ビシェイジャパン株式会社、東京都渋谷区、代表取締役社長：小澤政治）は本日、車載向けの 高効率同期型バックコンバータ用途でのスペースと電力の節約を目的とする、業界初のAEC-Q101準拠、12V、20V MOSFETをデュアル非対称型パワーパッケージで発表しました。ビシェイSiliconixブランドのSQJ202EPとSQJ200EPは NチャネルTrenchFET®製品で小型5mmx6mm PowerPAK® SO-8Lデュアル非対称型パッケージにローサイドとハイサイドMOSFETを搭載しています。ローサイドのオン抵抗は3.3mΩと低いのが特徴です。
非対称型パッケージに2個のMOSFET（大きいサイズのローサイドMOSFETは低オン抵抗、小さいサイズのハイサイドMOSFETは高速スイッチング用）を搭載することで、高電流高周波の同期型バック設計に最適なMOSFETです。SQJ202EPは12V、SQJ200EPは20Vの製品で、従来のデュアル型デバイスよりも高性能を実現します。ディスクリートソリューションと比べても、省スペース化によりPCBレイアウトの縮小が可能です。
本日リリースされたデバイスは最大＋175℃の高温動作を保証し、インフォテインメント、テレマティックス、ナビゲーション、LED照明等の車載用途で高信頼性を提供します。SQJ202EPはバス電圧が8V以下の用途に最適で、チャネル2のローサイドMOSFETは3.3mΩの極めて低いオン抵抗を提供します。20V SQJ200EPはこれより高いバス電圧の用途向けに最適で、オン抵抗は3.7mΩと若干高めです。全数ゲート抵抗、アバランシェ試験済み、RoHS準拠のハロゲンフリー品です。
デバイス仕様表
サンプルおよび製品は既にご提供可能で、量産時の標準納期は12週間です。
TrenchFETとPowerPAKは、ビシェイSiliconixの登録商標です。
ビシェイ・インターテクノロジー社について
ビシェイ・インターテクノロジー社はニューヨーク株式市場上場（VSH）のフォーチュン1000企業で、世界最大手のディスクリート半導体 （ダイオード、MOSFET、赤外線オプトエレクトロニクス等）および受動電子部品 （抵抗製品、インダクタ、コンデンサ等） メーカーのひとつです。 同社の部品はコンピュータ、自動車、コンシューマー、通信、軍用、航空宇宙、電源、医療等多種多様な界の製品に組み込まれています。ビシェイは革新的な製品、企業買収における優れた戦術、「ワンストップショップ」サービスで、業界のリーダーとしての地位を確固たるものにしています。 詳細は、ビシェイ社のホームページをご参照ください。http://www.vishay.com
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