高速ディスクリートIGBT「High-Speed Wシリーズ」の発売について【富士電機】

2015年12月16日

富士電機㈱（東京都品川区、代表取締役社長：北澤通宏）は、パワー半導体の新製品として、高速ディスクリートIGBT^※「High-Speed Wシリーズ」を発売しますのでお知らせいたします。

※ディスクリート：トランジスタやダイオードといった単機能半導体素子
IGBT ： Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）

1．背景

パワー半導体は、インバータや無停電電源装置、パワーコンディショナなどの産業機器や、電気・ハイブリッド自動車、通信機器等に搭載され、省エネや電力の安定供給を実現するキーデバイスです。
ディスクリートIGBTが使われる産業機器や通信機器の市場規模は、2016年に約500億円、以降年率5％で成長することが予測されています（出典：IMS）。
近年、世界的なエネルギー需要の拡大を背景に、こうした産業・通信機器に対する省エネへの要求が高まっています。また、機器自体の小型・省スペース化が強く求められています。
今般、こうした市場ニーズに応える高速ディスクリートIGBT製品の販売を開始します。

2．製品の特長

（1）電力損失を低減し省エネに貢献
パワー半導体は、スイッチング（電気のオン/オフの切り換え）を細かく繰り返すことで、直流から交流への変換や、電圧の制御などを行います。今回の製品は、IGBTチップの厚みを薄くし微細化することで、従来製品（High-Speed Vシリーズ）に比べて、スイッチング動作時の電力損失（ターンオフ損失）を約40%低減しました。これにより、搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。

（2）機器の小型化を実現
スイッチング動作時の損失を低減（発熱抑制）することで、従来製品（20kHz程度）に比べて高いスイッチング周波数^※（20kHz～100kHz）への対応を実現しました。これにより、搭載機器の周辺部品（コイルやトランス）を小型化でき、機器本体の小型化とトータルコスト低減に貢献します。

※1秒間当たりのオン/オフの切り替え回数