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高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について【東芝デバイス&ストレージ】
2023年1月31日 高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について 当社は、高放熱の新パッケージL-TOGL™(Large Transistor Outline Gull-wing Leads)を採用し、高ドレイン電...
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2023年1月31日 高放熱の新パッケージ採用により機器の大電流化に対応した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について 当社は、高放熱の新パッケージL-TOGL™(Large Transistor Outline Gull-wing Leads)を採用し、高ドレイン電...