ニュース
電力性能に優れた車載グレードのスーパー・ジャンクション型シリコンMOSFETを発表【STマイクロエレクトロニクス】
2024年3月18日
電力性能に優れた車載グレードのスーパー・ジャンクション型シリコンMOSFETを発表
|
STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、車載グレードの600V / 650V耐圧スーパー･ジャンクション型シリコンMOSFET「STPOWER MDmesh DM9 AGシリーズ」を発表しました。同製品は、優れた効率と堅牢性を備え、ハード･スイッチングおよびソフト･スイッチング･トポロジに対応します。オンボード･チャージャ（OBC）やDC-DCコンバータなどのアプリケーションに最適です。
MDmesh DM9 AGシリーズは、単位面積当たりのオン抵抗（RDS（on））が低く、最小のゲート電荷で動作します。また、低電力損失と高いスイッチング性能により、高い性能指数を備えています。最新のMDmesh DM9技術は、前世代と比較してゲート･ソース間のしきい値電圧（Vgs（th））のバラつき範囲が狭いため、高いスイッチング性能を実現し、ターンオン / ターンオフ損失の削減に貢献します。
MOSFETの総合的な堅牢性を高めるように最適化された新しいプロセスを採用しているため、ボディ･ダイオードの逆回復特性が向上しています。また、ダイオードの逆回復電荷（Qrr）が小さく回復時間（trr）が速いため、きわめて高い効率が求められる位相シフトのゼロ電圧スイッチング･トポロジに最適です。
同製品は、スルーホール･パッケージまたは表面実装パッケージで提供されます。表面実装パッケージは、電力密度の向上やシステムの信頼性向上、および小型化の実現に貢献します。TO-247 LL（ロングリード）は、既存の組立プロセスを使用できる一般的なスルーホール･パッケージで、簡単に実装することができます。表面実装パッケージの内、H2PAK-2（2リード）およびH2PAK-7（7リード）パッケージは、高熱伝導基板や、サーマル･ビアなどの機能を備えたプリント基板における底面冷却に最適化されています。上面冷却型の表面実装パッケージHU3PAKおよびACEPACK™ SMITも利用可能です。
STPOWER MDmesh DM9 AGシリーズ初の製品である「STH60N099DM9-2AG」は、27A / 600V耐圧のNチャネル型MOSFETで、AEC-Q101認定を取得済みです。同製品は、H2PAK-2パッケージで提供され、オン抵抗は76mΩ（Typ.）です。STは、電流定格やオン抵抗（23mΩ～150mΩ）など、幅広い仕様の製品によってMDmesh DM9 AGシリーズを拡充する予定です。
STH60N099DM9-2AGは、現在STのeStoreから入手可能で、価格は約4.98ドルです。
詳細については、ウェブサイト( https://www.st.com/ja/power-transistors/mdmesh-dm9-series.html?icmp=tt37783_gl_pron_mar2024 )をご覧ください。
STマイクロエレクトロニクスについて
STは、50,000名以上の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、2027年までのカーボン･ニュートラル（スコープ1、2、および3の一部）の実現を目標にしています。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。
◆ お客様お問い合わせ先
STマイクロエレクトロニクス（株）
オートモーティブ･ディスクリート製品グループ
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
TEL : 03-5783-8260
STマイクロエレクトロニクス株式会社 ホームページはこちら
