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超低オン抵抗で耐圧60VのパワーMOSFETファミリーを19品種発売【IRジャパン】
2014年7月8日
～StrongIRFET™ファミリーを拡大、産業用途向けに多様なパッケージを用意～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）㈱（本社：東京都新宿区）は8日、パワーMOSFETのStrongIRFET™ファミリーのポートフォリオを拡大し、新たに耐圧60Vの製品19品種を発売しました。標準パッケージや高性能パワー・パッケージなど、さまざまなパッケージを用意しました。この新しいMOSFETファミリーは、超低オン抵抗（内部抵抗）が特徴です。産業用途向けで、電動工具、小型電動車両（LEV）のインバータ、直流モータの駆動、リチウムイオン電池パックの保護、スイッチング電源（SMPS）の2次側同期整流など広範囲の用途に使用できます。
表面実装パッケージ（表1）および挿入実装パッケージ（表2）の両方で多様なパッケージを用意した耐圧60VのStrongIRFET™パワーMOSFETの拡大したファミリーには、IRF7580Mが含まれています。このデバイスは、低背で超小型の金属パッケージDirectFET®の中型缶に封止され、システム全体のサイズとコストを削減できると同時に、大電流密度を実現しています。IRF7580Mは、スペースに制約がある大電力の産業用途に最適です。
製品化した19品種の60VのStrongIRFET™パワーMOSFETファミリーは、低い周波数の用途における特性を改善するための極めて低いオン抵抗、大電流供給能力、ソフト・ボディ・ダイオード、雑音耐性を高めるための3V（標準値）のゲートしきい電圧という特徴を備えています。このファミリーの各デバイスは、産業用途で要求される最も丈夫なソリューションを保証するために、業界で最も大きなアバランシェ電流レベルで、100％アバランシェ・テストされています。
産業市場向けの低オン抵抗と大電流能力が特徴で、多様なパッケージを取りそろえて拡大したIR社の60VのStrongIRFET™パワーMOSFETのポートフォリオは、費用対効果の基準に基づいて、使用する用途に最適なデバイスを選択するときの自由度を提供します。
DirectFET®の中型缶に封止したこの新しいデバイスIRF7580Mは、すべてのDirectFET®ファミリーと同様に、ボンディング・ワイヤーがない構造のため信頼性が向上します。DirectFET®パッケージの部材は、完全に鉛フリーで、欧州の規制RoHS（特定物質の使用規制）のすべてに準拠しており、長いライフサイクルの設計に最適です。代替の高性能パッケージは、2016年に終了予定のRoHS指令除外項目7（a）の鉛のチップ接着を使用しています。各デバイスのデータシートとSpiceモデルは、IR社のウエブサイト（ http://www.irf.com ）で入手できます。
＜価格＞
IRF7580Mの1万個購入時の単価は、0.78米ドルからの予定です（米国での参考価格）。データシートは下記表中の型番をクリックすることでもご覧いただけます。
表1 耐圧60Vの StrongIRFET™ファミリーの仕様（表面実装パッケージ品）
注）最大ドレイン電流はパッケージ温度25℃のときの値。オン抵抗とゲート電荷は、ゲート-ソース間
電圧10Vのときの値。
表2 耐圧60Vの StrongIRFET™ファミリーの仕様（挿入実装パッケージ）
注）最大ドレイン電流はパッケージ温度25℃のときの値。オン抵抗とゲート電荷は、ゲート-ソース間
電圧10Vのときの値。
＜インターナショナル・レクティファイアー（IR®）社について＞
IR社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ/デジタル混在IC、最先端デバイス、電源のシステムや部品は、コンピュータの性能向上や、世界で最も電力消費の大きいモータの省エネに貢献しています。コンピュータ、省エネ家電、照明器具、自動車、衛星・航空・防衛システムなどの主な製造企業は、次期製品の性能向上のためにIR社のパワー・マネジメント・ソリューションに頼っています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ホームページはhttp://www.irf.com です。
＜商標に関する注意＞
StrongIRFET™は、International Rectifier Corporationの商標です。IR®は、International Rectifier Corporationの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。
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