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両面放熱可能なDirectFET®2パッケージに封止した車載用パワーMOSFETを発売【IRジャパン】

2013年10月11日

~ システム全体のサイズとコストを削減、電力密度を向上 ~

パワー・マネジメント(電源管理)技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(IRジャパン)株式会社(本社:東京都新宿区)は11日、車載用のDirectFET®2パワーMOSFET「AUIRF8736M2」を発売しました。小さな実装面積で高い電力密度が要求される電動パワー・ステアリング(EPS)や、ブレーキング・システム、ポンプなどの重い負荷の自動車用途に最適 です。

IR社のベンチマークとなるCOOLiRFET™シリコン技術を強化した耐圧40VのAUIRF8736M2は、導通損失を最小化するために、前世代のデバイスと比べて、オン抵抗(内部抵抗)を40%低減しました。表裏両面放熱が可能なDirectFET®2の中型缶パワー・パッケージに封止したため、優れた熱特性と低い寄生インダクタンスを実現しています。

COOLiRFET™シリコンの特性とDirectFET®2パッケージとを組み合わせることで、AUIRF8736M2は、同じ実装面積でオン抵抗を40%改善し、同等の特性の大型缶のデバイスに対して、パッケージ面積が半分で済むため、車載用途のシステム全体のサイズとコストを削減できます。

このデバイスは、車載部品の品質規格AEC-Q101に準拠しています。完全に鉛フリーのパッケージで、部材は欧州の規制RoHS(特定物質の使用規制)に準拠しています。ゼロ・ディフェクトを目標とするIR社の車載品質イニシアチブの対象製品です。データシート、アプリケーション・ノート、品質基準は、IR社のホームページ(www.irf.com)から入手できます。

AUIRF8736M2の1万個購入時の単価は0.82米ドルからの予定です(米国での参考価格)。データシートは下記表の型番をクリックすることでもご覧いただけます。

表 製品化した車載用DirectFET®2パワーMOSFETの仕様

  

  

  

注) 最大ドレイン電流はパッケージ温度25℃のときの値、オン抵抗とゲート電荷は、ゲート-ソース間電圧10Vのときの値です。DirectFETパッケージの中型缶の面積は4.9mm×6.3mm、大型缶は7mm×9.1mmです。

インターナショナル・レクティファイアー(IR®)社について

IR社はパワー・マネジメント(電源管理)技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ/デジタル混在IC、最先端デバイス、電源のシステムや部品は、コンピュータの性能向上や、世界で最も電力消費の大きいモーターの省エネに貢献しています。コンピュータ、省エネ家電、照明器具、自動車、衛星・航空・防衛システムなどの主な製造企業は、次期製品の性能向上のためにIR社のパワー・マネジメント・ソリューションに頼っています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ホームページは http://www.irf.comです。

注:COOLiRFET™はInternational Rectifier Corporationの商標です。IR®、DirectFET® はInternational Rectifier Corporationの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。




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