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第4世代MOSFETを1パッケージに2素子搭載したDual MOSFETを発売【新電元工業】
2021年7月13日
第4世代MOSFETを1パッケージに2素子搭載したDual MOSFETを発売
車載各種ECUにおける小型化・部品点数削減に貢献
新電元工業株式会社は、車載の各種ECU向けMOSFET「LF_Dual」シリーズを発売します。
本シリーズは、当社従来品の特長である低損失・大電流はそのままに、1パッケージに2素子搭載することで、車載モータの駆動用、エンジンECU（インジェクタ駆動）、逆接逆流防止リレーなど様々な用途での小型化・部品点数削減による軽量化に貢献します。
また、ガルウィング形状のリード端子を採用することで、車載向け用途での高信頼性実装を実現しました。
本シリーズはサンプル出荷中、量産開始は2021年12月を予定しています。
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■ 概要
脱炭素など環境配慮による規制強化を背景に自動車の電動化、自動運転化が急速に進み、1台当たりの自動車に搭載される半導体の数は劇的に増えています。これら半導体には低損失・大電流でありながら、高効率化による回路の小型化や部品点数削減が求められています。
このような市場のニーズに応えるべく、当社は車載信頼性規格AEC-Q101に準拠した、40V/60V耐圧の小型・低オン抵抗の2素子構成パワーMOSFET「LF_Dual」シリーズを開発しました。
本シリーズは、第4世代のパワーMOSFET(EETMOS® 4)から更に特性を改善、電気抵抗が小さく放熱効果が高いCuクリップ接続による低オン抵抗化と併せて、オン抵抗と全ゲート電荷量の積である性能指数（FOM：Figure Of Merit）を25%低減しました。この素子を小型パッケージに2個搭載することで、1素子入りパッケージ使用時と比べて実装面積・部品点数共に50%削減、回路の小型化や軽量化に貢献します。
また、ウェッタブルフランク構造によるはんだ濡れの視認性向上や、パッケージのリード先端部のメッキ処理による優れたはんだ濡れ性やガルウィング形状のリード端子を採用することで、車載部品の基板実装に求められる強固なはんだ付け性を実現し、高信頼性実装を可能にしました。
■ 用途例
・車載向け各種ECU制御部、ファンモータ、LEDヘッドライトほか
| ■ 低損失パワーMOSFETを1パッケージに2素子搭載 |
1素子×2個使いに比べて実装面積・部品点数の削減が可能。
回路の小型化や軽量化に貢献します。
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| ■ 新構造 第4世代パワーMOSFETから更に特性改善 |
当社従来品から更なる低容量化でFOM（Ron×Ciss）25%低減。
スイッチング損失低減に貢献します。
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| ■ Cuクリップ構造採用 |
大幅な低抵抗化・放熱性向上で、小型化・オン抵抗の削減を実現しました。
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| ■ ガルウィング形状のリード端子 |
基板応力緩和とウェッタブルフランク構造によるはんだ濡れの視認性向上により高信頼性実装を実現しました。
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| ■ 既存パッケージからの置き換えが可能 |
SOP8やHSON系パッケージと類似外形のため置き換えが容易です。
| ■ AEC-Q101対応 / Tch=175℃保証 |
| Type No. | VDSS[V] | ID[A] | RDS(ON) |
| P20LF4QTKD | 40 V | 20 A | 12.3 mΩ |
| P41LF4QTKD | 40 V | 41 A | 5.3 mΩ |
| P50LF4QTKD | 40 V | 50 A | 4.4 mΩ |
| P15LF6QTKD | 60 V | 15 A | 24.0 mΩ |
| P33LF6QTKD | 60 V | 33 A | 10.0 mΩ |
| P33LF6QLKD | 60 V | 33 A | 10.5 mΩ |
| P39LF6QTKD | 60 V | 39 A | 8.3 mΩ |
新電元工業株式会社について
新電元工業は、1949年の設立以来、パワー半導体やスイッチング電源などパワーエレクトロニクスを主な事業領域として、独創的な技術を活かした数多くの製品を開発し、世界各国のお客様の期待と信頼にお応えしてきました。
新電元工業は、半導体技術、回路技術、実装技術を併せ持つ世界でも稀なメーカーとしてコア技術を融合し、発展・応用させていくことで、持続可能な社会の実現の一翼を担う製品をご提供していきます。詳細については新電元工業のウェブサイト（https://www.shindengen.co.jp/）をご覧ください。
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