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平成24年度科学技術分野の文部科学大臣表彰において科学技術賞（開発部門）を受賞【パナソニック】
2012年4月10日
パナソニック㈱では、「圧電薄膜を用いた圧電MEMS[1] デバイスの開発」で5名が平成24年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰[2] 科学技術賞（開発部門）を受賞しました。
受賞内容
■ テ―マ ： 圧電薄膜を用いた圧電MEMSデバイスの開発
■ 受賞者 ：
藤井映志（ふじい えいじ）
パナソニック㈱ 先端技術研究所 クリーンエネルギー推進室 室長
野村幸治（のむら こうじ）
元 パナソニック エレクトロニックデバイス㈱ 回路部品ビジネスユニット 参事
渡邊 修（わたなべ おさむ）
パナソニック プレシジョンデバイス㈱ インクジェットソリューションディビジョン チームリーダー
小牧一樹（こまき かずき）
パナソニック㈱ デバイス社 MEMS技術開発センター チームリーダー
山本幸二（やまもと こうじ）
パナソニック㈱ デバイス社 回路部品ビジネスユニット グループマネージャー
■ 開発内容 ：
高性能なチタン酸ジルコン酸鉛（PZT）薄膜を、シリコン基板上に形成することに成功し、小形、高性能の角速度センサとして、さらに、高画質・高速印刷が可能なインクジェット薄膜ヘッドとして製品化したことが評価されました。角速度センサはカーナビゲーションシステム、自動車の車両制御、デジタルカメラの手ぶれ防止の用途でトップシェアを得ています。インクジェット薄膜ヘッドは商業用高速オンデマンド印刷機に搭載されています。
開発内容の詳細
（1） 開発の背景
代表的な圧電材料のチタン酸ジルコン酸鉛（PZT）は、MEMS技術との融合により、小型化や新機能が期待出来るため、安価で加工性の良いシリコン基板上への薄膜化に強い要望がありました。しかしながら、高性能なチタン酸ジルコン酸鉛（PZT）圧電薄膜は、高価で加工が難しい酸化マグネシウム（MgO）単結晶基板上でなければ、薄膜を形成することは困難とされていました。
（2） 開発技術の内容
本開発では、新規に下部電極材料と配向制御層の導入により、量産性に優れたスパッタ法で、シリコン基板上への高性能なチタン酸ジルコン酸鉛（PZT）圧電薄膜を実現しました。さらにMEMS技術と融合させ圧電MEMSデバイスの開発に成功しました。
（3） 開発技術の成果
本開発により、小形、高精度の角速度センサや高画質・高速印刷が可能なインクジェット薄膜ヘッド等の圧電MEMSデバイスを世界で初めて実現し、実用化しました。
本成果は、角速度センサについては、デジタルカメラの手振れ補正用、カーナビ用、自動車の車両安全制御用として搭載され、利便性や安全性の向上に寄与しています。またインクジェット薄膜ヘッドについては、商業用オンデマンド印刷機に搭載され、社会への新たな利便性の提供に寄与しています。
補足説明
[1] MEMS
MEMSは、Micro Electro Mechanical System（微小電気機械システム）の略称。
電気と機械を融合した超小型システムで、半導体の製造技術を応用した微細加工技術で作られます。
[2] 科学技術分野の文部科学大臣表彰
科学技術に関する研究開発、理解増進等において顕著な成果を収めた功績を讃える制度。その中で、科学技術賞（開発部門）は、我が国の社会経済、国民生活の発展向上等に寄与し、実際に利活用されている画期的な研究開発若しくは発明を行った者を対象としています。
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