素材

車載パワートランジスタ用高耐熱性Al合金薄膜

概要

高耐熱性Al合金(SA-HT)は、HEVなどに使用されているパワートランジスタ(IGBT)のエミッタ電極材料として、一般的なAl-Si合金より高温且つ薄膜でお使いいただけます。
スパッタリング成膜は、一般的なAl-Si合金などと同様に行うことが可能です。
*スパッタリングターゲットは、㈱コベルコ科研にて製造・販売。

特徴

・500℃においてもSi基板との間で拡散フリーを維持。
 ⇒アニール温度高温化により、トランジスタ特性の向上とプロセス時間短縮が可能。
・膜厚を1μmまで薄膜化可能。
 ⇒薄膜化により、プロセス時間短縮が可能。

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