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「#MOS FET」の検索結果
650V シリコンカーバイド(SiC) MOSFETの新製品を発表 【オン・セミコンダクター】
2021年2月25日 オン・セミコンダクター、650V シリコンカーバイド(SiC) MOSFETの新製品を発表 優れたスイッチング性能と信頼性の向上により、さまざまな困難なアプリケーションにおける電力密度の向上を実現 2021年2月25日(米国2021...
AEC-Q101準拠ハーフブリッジ・パッケージを発表し LFPAK56D MOSFETラインナップを拡充【Nexperia】
2021年2月24日 Nexperia,AEC-Q101準拠ハーフブリッジ・パッケージを発表し LFPAK56D MOSFETラインナップを拡充 省スペースのLFPAK56DハーフブリッジMOSFET パワートレイン モーター制御 DC/DCアプリケーション向けに寄生インダクタンスの60%低減と放熱特性向上を実現 Nexperia(本社:...
耐久性と低消費電力特性を両立した新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」を製品化【日立パワーデバイス】
2021年1月26日 耐久性と低消費電力特性を両立した新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」を製品化発電、送変電、電動化を担う機器の高効率化・省エネ化により脱炭素社会の実現に貢献 新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」 株式会社日立パワーデバイス(取締役社長:奈良 孝/以下、日立パワーデバイス)は、電力シス...
機電一体を実現 モータ駆動用パワーモジュール【新電元工業】
2020年11月17日 機電一体を実現 モータ駆動用パワーモジュール~EPSの軽量・コンパクト化に貢献~ 新電元工業株式会社(本社:東京都千代田区)は、車載の電動パワーステアリング(EPS)などに向けたモータ駆動用パワーモジュール「MG048シリーズ」から新たに「MG048A150004A」と「MG048B100006A」の2品種の発売を開...
SiC MOSFETとSiCダイオード両方の利点をもつMicrochip社製AgileSwitch Phase Legパワーモジュール取り扱いを開始【マウザー エレクトロニクス】
2020年10月1日 最新の半導体及び電子部品の幅広い品揃えと、新製品をいち早く市場に投入することに注力する、ネット販売商社のマウザー・エレクトロニクス(Mouser Electronics、本社: 米国テキサス州マンスフィールド、以下: マウザー)は、マイクロチップ・テクノロジー(Microchip Technology、以下: Microchi...
設計の簡略化と安全性向上を可能にする高集積の汎用車載ドア・ロックICを発表【STマイクロエレクトロニクス】
2020年5月13日 STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、汎用車載ドア・ロックICのL99UDL01を発表しました。同製品は、6個のMOSFETハーフ・ブリッジ出力回路と2個のハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバを集積し、保護機能や診断機能を備えているため、安全性の向上や設計の簡略化、および省スペース化に...
堅牢性が高く省スペースのLFPAK56パッケージに封止したPチャネルMOSFETを発表【Nexperia】
2020年5月8日 堅牢性が高く省スペースのLFPAK56パッケージに封止したPチャネルMOSFETを発表 車載アプリケーション向けにAEC-Q101認証済み 基幹半導体のエキスパートであるNexperiaは、堅牢性が高く省スペースのLFPAK56(Power-SO8)パッケージに封止した業界初のPチャネルMOSFETファミリを発表しました。新製品は車載...
ロームのSiCパワーデバイスが中国大手Tier1、UAESの電気自動車用オンボードチャージャーに採用 EV充電システムの高速化、高効率化、小型化に貢献【ローム】
2020年3月17日 <要旨> ローム株式会社(本社:京都市)のSiCパワーデバイス(SiC MOSFET*1)が、中国・総合車載Tier1メーカー、United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. (以下、UAES社)の電気自動車用オンボードチャージャー(On Board Charger、以下OBC)に採用されました。同OBCは、2020年10月にUAE...
要求の厳しいアプリケーション向けに900V、1200V SiC MOSFET の新製品を発表【オン・セミコンダクター】
2020年3月16日 要求の厳しいアプリケーション向けに900V、1200V SiC MOSFET の新製品を発表 新製品のSiC MOSFETによって、高性能と高効率を達成し、過酷な条件下での動作が実現 2020年3月16日(米国2020年3月10日発表): 高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター(本社 米国アリゾ...
業界トップの性能を持つ高効率のGaN FETをリリース【Nexperia】
2019年11月20日 Nexperia社、業界トップの性能を持つ高効率のGaN FETをリリース 確かなプロセス、堅牢かつ拡張性があり、量産対応 2019年11月19日、ナイメーヘン: ディスクリート、MOSFET部品、アナログ・ロジックICのエキスパートであるNexperia(ネクスペリア)社(https://www.nexperia.com )は、本日、GAN063-...