2026年6月4日

パワー半導体「第5世代SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始

従来から約25%低減した業界トップクラスの低オン抵抗を実現し、xEVの電費改善に貢献

xEV 用 SiC-MOSFET を製造したウエハ（左）とサンプル提供を開始するチップ（右）（イメージ）

　三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）などの電動車（以下、xEV）の駆動モーター用インバーターやeAxle※1に使用される新しい SiC-MOSFET※2 チップ2品種のサンプル提供を6月下旬から順次開始します。
　当社が新たに開発した独自のトレンチ※3構造を持つ第5世代SiC-MOSFETチップで、従来品から約25％低減※4した業界トップクラス※5の低オン抵抗※6を実現しました。xEV用インバーターの性能向上や小型化を可能とし、xEVの航続距離の延伸や電費改善に貢献します。
なお、本製品は「PCIM Expo & Conference 2026」（6月9日～11日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク）や、日本、中国等で開催される展示会へ出展予定です。

　近年、脱炭素社会の実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大しています。特に自動車分野では、温室効果ガス低減を目的とした自動車の電動化を背景に、モーター駆動におけるインバーターなどの電力変換機器に使用されるパワー半導体の需要拡大と多様化が進んでおり、中でも、電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体への期待が高まっています。
　当社は業界に先駆け、1997年にxEV用パワー半導体モジュールの量産を開始した後、ヒートサイクル※7耐性の信頼性を向上するなど、インバーターの小型化に向けた課題を解決する実績を重ね、さまざまなEVやハイブリッド車（HEV）に採用されてきました。また、2010年に電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体モジュールを製品化して以来、エアコンや産業用機器、鉄道車両のインバーターシステムに採用され、家電や産業用機器、鉄道車両の低消費電力化に貢献してきました。

　今回、「第5世代SiC-MOSFETチップ」を市場に提供することで、xEV用インバーターやeAxleの性能向上や小型化を可能とし、xEVの航続距離の延伸や電費改善に貢献します。また、当社独自の製造プロセス技術により、性能劣化と電力損失やオン抵抗などの変動を抑制することで、長期間の使用でも安定した品質を実現し、xEV用インバーターやeAxleの耐久性や性能維持に貢献します。
　当社は、今後もxEVをはじめとした様々なパワーエレクトロニクス機器の省エネ化に向け、低電力損失で高品質のSiC-MOSFETチップの提供を拡大し、GX（Green Transformation）に貢献していきます。

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