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車載用低オン抵抗パワーMOSFETの新製品発売について【東芝】
2013年3月6日
高速スイッチング用途に適した「DPAK+」パッケージの100V製品を新たにラインアップ
当社は、車載用パワーMOSFETの新製品として、最新のトレンチMOSプロセスを使って低オン抵抗・低漏れ電流を実現した100V対応の「TK55S10N1」を製品化し、ラインアップに追加しました。
新製品は、最新のトレンチMOS第8世代プロセス「U-MOS Ⅷ-H（ユーモス・エイト・エイチ）シリーズ」のチップと、Cu （銅） コネクタ接続構造の「DPAK+」パッケージの採用により、低オン抵抗を実現しました。車載用途の中でも特に高速スイッチングが求められるスイッチングレギュレータなどの用途に適している製品です。
現在評価用のサンプルを出荷中で、4月から量産を開始する予定です。
極性 |
品番 |
ドレイン・ソース間電圧 VDSS （V） |
ドレイン電流 ID （A） |
シリーズ |
| Nch | TK55S10N1 | 100 | 55 | U-MOS Ⅷ-H |
主な特長
■ 低オン抵抗 ： RDS（ON） = 5.5mΩ（標準） （VGS=10V）
■ 低漏れ電流 ： IDSS=10µA（最大） （VDS=定格電圧）
■ Cu コネクタ接続構造によって低オン抵抗を実現する「DPAK+」パッケージ
■ 新製品のさらに詳しい仕様については下記ページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/transistor/selection/topics/1268301_2006.html
■ お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部 Tel ： 03-3457-3416
本資料に掲載されている情報（製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
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