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強化した保護機能や診断機能を備えた車載用ゲート駆動ICのサンプル出荷を開始【IRジャパン】
2013年2月28日
～ リレーの置き換えやバッテリのスイッチ向け ～
パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）㈱（本社：東京都新宿区）は27日、ハイサイド（*1）の車載用ゲート駆動IC「AUIR3200S」のサンプル出荷を開始しました。包括的な保護機能や診断機能を備え、リレーの置き換えやバッテリのスイッチ用途で信頼性の向上に貢献します。
AUIR3200S は、負荷の短絡を知らせる診断機能に加えて、過電流保護と過熱保護の機能を備えています。パッケージは8ピンSOP（SO-8）。IR社の車載用パワーMOSFET（AUIRLS3034-7P）2個と組み合わせると、0.75mΩと非常に低いオン抵抗（内部抵抗）が得られます。AUIR3200Sの動作電源電圧範囲は6V～36V。出力電圧は5.7Vです。
AUIR3200Sは、システムの信頼性を強化するための保護機能と診断機能を提供するだけでなく、高性能の車載用パワーMOSFETと共に設計すると、市場で最も低いオン抵抗の保護されたハイサイド・スイッチを実現できます。
今回の製品は、車載部品の品質規格AEC-Q100に準拠しています。部材は鉛フリーで欧州の規制RoHS（特定物質の使用規制）に準拠しています。ゼロ・ディフェクトを目標とするIR社の車載品質イニシアチブの対象製品です。アプリケーション・ノートを含むデータシートは、IR社のホームページ（www.irf.com）から入手できます。
AUIR3200Sの10万個購入時の単価は、0.65米ドルからの予定です（米国での参考価格）。 データシートは下記表中の型番をクリック頂くことでもご覧いただけます。
仕様
用語説明
*1）ハイサイド：大電力スイッチング回路の出力に同極性のパワーMOSFET（通常はnチャネル）を直列に接続して（トーテムポール出力）、ハーフブリッジ回路を構成した場合、上側のMOSFETをハイサイドMOSFET（電流を供給する役割）、下側のMOSFETをローサイドMOSFET（電流を吸い込む役割）と呼びます。ハイサイドMOSFETを駆動する回路がハイサイドのゲート駆動回路です。
インターナショナル・レクティファイアー（IR®）社について
IR社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。IR社のアナログIC、アナログ/デジタル混在IC、最先端デバイス、電源のシステムや部品は、コンピュータの性能向上や、世界で最も電力消費の大きいモーターの省エネに貢献しています。コンピュータ、省エネ家電、照明器具、自動車、衛星・航空・防衛システムなどの主な製造企業は、次期製品の性能向上のためにIR社のパワー・マネジメント・ソリューションに頼っています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。ホームページはhttp://www.irf.comです。
特許および商標に関する注意
IR®はInternational Rectifier Corporationの登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。
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