ニュース

車載用低オン抵抗パワーMOSFETの新製品発売について【東芝】

2013年1月25日

高速スイッチング用途に適した、「DPAK+」パッケージの製品を新たにラインアップ

当社は、車載用パワーMOSFETの新製品として、最新のトレンチMOSプロセスを使って低オン抵抗・低漏れ電流を 実現した「TK100S04N1L」を製品化し、ラインアップに追加しました。

新製品は、最新のトレンチMOS第8世代プロセス「U-MOS VIII-H(ユーモス・エイト・エイチ)シリーズ」のチッ プと、Cu(銅) コネクタ接続構造の「DPAK+」パッケージの採用により、低オン抵抗を実現しました。車載用途の中 でも特に高速スイッチングが求められるモータドライブやスイッチングレギュレータなどの用途に適している製品です。

現在評価用のサンプルを出荷中で、3月から量産を開始する予定です。


主な特長

■ 低オン抵抗: RDS(ON) = 1.9mΩ(標準) (VGS=10V)
■ 低漏れ電流: IDSS=10µA(最大) (VDS=定格電圧)
■ Cu コネクタ接続構造によって低オン抵抗を実現する「DPAK+」パッケージ
■ Tch = 175°C保証


新製品のさらに詳しい仕様については下記ページをご覧ください。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/transistor/selection/topic/1268084_2006.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先

パワーデバイス営業推進部  Tel:03-3457-3416



株式会社東芝ホームページはこちら

キーワードをクリックして関連ニュースを検索

#東芝
#MOSFET
#2013年1月25日