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要求の厳しいアプリケーション向けに900V、1200V SiC MOSFET の新製品を発表【オン・セミコンダクター】

2020年3月16日 要求の厳しいアプリケーション向けに900V、1200V SiC MOSFET の新製品を発表 新製品のSiC MOSFETによって、高性能と高効率を達成し、過酷な条件下での動作が実現 2020年3月16日(米国2020年3月10日発表):  高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター(本社 米国アリゾ...

ローム(株)のSiCパワーモジュールを採用した インバータの独自開発をスタート  プラットフォーム事業のさらなる拡大を目指す【GLM】

2020年2月18日  電気自動車(EV)の開発・販売を行う GLM株式会社(本社:京都市)は、半導体・電子部品メーカーのローム株式会社(所在地:京都市)のSiCパワーモジュールを採用し、「800Vシステム対応次世代SiCインバータ」の開発に着手することになりました。  ローム社製SiCパワーモジュールを採用することにより、...

SiCをベースにしたパワーコンバーターの設計サイクルを加速するゲートドライブ評価プラットフォームを発表【リテルヒューズ】

2019年2月4日 回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク (本社:米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ:LFUS) の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社(本社:東京都港区)は、「ゲートドライブ評価プラットフォーム(GDEV)」を、本年2月上旬に発売します。 同製品は、シリコンカーバ...

CreeとST、SiCウェハ供給契約の拡大と延長を発表【STマイクロエレクトロニクス】

2019年12月5日 Cree, Inc.(Nasdaq:CREE、以下Cree)と、多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、現在のSiC(炭化ケイ素)ウェハの複数年供給契約を延長するとともに、5億ドル相当以上に拡大することを発表しました。延長される契約では、...

第2世代高品質パワー半導体用SiCエピウェハーを開発【昭和電工】

2019年8月1日 第2世代高品質パワー半導体用SiCエピウェハーを開発- 電気自動車・電鉄車両向けSiCインバーター普及を加速 -  昭和電工株式会社(社長:森川 宏平)は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(以下、SiC)エピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の6インチ(150mm)品において、現在量産中の低欠...

高電圧、高信頼性パワー エレクトロニクスを実現するシリコン カーバイド(SiC)製品の量産開始を発表【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】

2019年5月16日 [NASDAQ: MCHP] – 車載、産業、航空宇宙、防衛アプリケーションのシステムの効率、堅牢性、電力密度を向上させるSiCパワーデバイスの需要が拡大しています。Microchip Technology Inc.(日本支社: 東京都港区浜松町、代表: 吉田洋介 以下Microchip社)は本日、子会社のMicrosemi社を通じて、ワイ...

1200V耐圧SiC-MOSFETモジュールの量産を開始【三社電機製作所】

2019年4月23日 1200V耐圧SiC-MOSFETモジュールの量産を開始 高信頼性と低損失を実現  株式会社三社電機製作所(本社:大阪市)はこのほど、1200V耐圧(電流容量150A)2素子入りSiC-MOSFETモジュールの量産を4月より開始いたします。 【発売の狙い】  パワートランジスタなどのパワーデバイスは、車載や産業...

リテルヒューズ初、650Vの第二世代SiCショットキーダイオード「GEN2 650Vシリーズ」 2種を発売 わずかな逆回復電流で高サージ電流に対応、最大接合温度175度【リテルヒューズ】

2019年2月20日 回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク (本社:米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ:LFUS)の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社(本社:東京都港区)は、当社初の650V SiC(シリコンカーバイド)ショットキーダイオード製品となる、「GEN2 650Vシリーズ」 2種を本年3...

CreeとST、SiCウェハの複数年にわたる供給に合意【STマイクロエレクトロニクス】

2019年1月16日 CreeとST、SiCウェハの複数年にわたる供給に合意本合意は、車載・産業分野におけるSiCの普及拡大に貢献 Cree, Inc.(Nasdaq:CREE、以下Cree)は、多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)に対し、Wolfspeed(R)のSiC(炭化ケイ素...

電気自動車のモーター駆動省エネ化に貢献する 高耐久性構造SiCパワー半導体”TED-MOS”を開発【日立製作所】

2018年8月30日 このニュースリリース記載の情報(製品価格、製品仕様、サービスの内容、発売日、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更され、検索日と情報が異なる可能性もありますので、あらかじめご了承ください。なお、最新のお問い合わせ先は、お問い合わせ一覧をご覧下さい。 電気自動...