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耐久性と低消費電力特性を両立した新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」を製品化【日立パワーデバイス】

2021年1月26日 耐久性と低消費電力特性を両立した新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」を製品化発電、送変電、電動化を担う機器の高効率化・省エネ化により脱炭素社会の実現に貢献 新構造SiCパワーデバイス「TED-MOS®」 　株式会社日立パワーデバイス(取締役社長:奈良　孝／以下、日立パワーデバイス)は、電力シス...

高度な第4世代技術を基盤とする新SiC FETデバイスを発表【UnitedSiC】

2020年12月2日 シリコンカーバイト（SiC）パワー半導体大手メーカーのUnitedSiC（ユナイテッドSiC、本社: 米ニュージャージー州プリンストン、以下: UnitedSiC）は、自社の高度な第4世代（Gen 4） SiC FET技術を基盤にした、4種類の新製品を発表しました。これらのGen 4デバイスは業界で唯一の750V SiC FETであり、傑出...

200mm SiCウエハー対応　SiCエピタキシャル膜成長装置「ＰＥ-1○8 （イチマルハチ）」 2020年12月11日より日本でのテストマーケティング開始【LPE】

2020年12月11日 半導体製造装置の開発を行うイタリア企業のLPE（エルピーイー）S.p.A（本社：伊・ミラノ、代表： Franco Preti-フランコ・プレッティ-、以下LPE社）は、200mmのSiCウエハーに対応したSiCエピタキシャル膜成長装置ＰＥ-1○8（ピーイーイチマルハチ）のテストマーケティングを2020年12月11日より開始します...

燃料電池自動車向けにSiCパワー半導体を量産化【デンソー】

2020年12月10日 株式会社デンソー（本社：愛知県刈谷市、社長：有馬　浩二）は、低炭素社会を実現する高品質なSiC（シリコンカーバイド）パワー半導体を搭載した次期型昇圧用パワーモジュール*1の量産を開始しました。この製品は、2020年12月9日に販売を開始した、TOYOTA 新型MIRAIに採用されています。 デンソー...

パワー半導体用SiCエピウェハーがデンソー製　燃料電池自動車向け次期型昇圧用パワーモジュールに採用【昭和電工】

2020年12月10日 　昭和電工株式会社（社長：森川 宏平）のパワー半導体の材料であるSiC(シリコンカーバイド)エピタキシャルウェハー（以下、エピウェハー）6インチ（150mm）品が、株式会社デンソー製の燃料電池自動車向け次期型昇圧用パワーモジュールに採用されたことをお知らせします。 　当社のSiCエピウェハー...

SiC MOSFETとSiCダイオード両方の利点をもつMicrochip社製AgileSwitch Phase Legパワーモジュール取り扱いを開始【マウザー エレクトロニクス】

2020年10月1日 最新の半導体及び電子部品の幅広い品揃えと、新製品をいち早く市場に投入することに注力する、ネット販売商社のマウザー・エレクトロニクス（Mouser Electronics、本社: 米国テキサス州マンスフィールド、以下: マウザー）は、マイクロチップ・テクノロジー（Microchip Technology、以下: Microchi...

インバータ設計向け低インダクタンス シリコン カーバイド（SiC） パワーモジュール/プログラマブル ゲートドライバ キットを発表【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】

2020年9月1日 [NASDAQ: MCHP] – 世界中で革新的技術を採用した高効率の交通手段に切り換えが進む中、列車、路面電車、トロリーバス、自動車、EV充電器まで、輸送手段の電動化が急速に進んでいます。Microchip Technology Inc.（日本法人: 東京都港区浜松町、代表: 吉田洋介 以下Microchip社）は本日、AgileSwit...

独自開発中の 「800Vシステム対応次世代SiCインバータ」　 プロトタイプ完成を発表【GLM】

2020年7月9日 　電気自動車(EV)の開発・販売を行う「GLM(株)」(本社：京都市)は、本年2月にローム(株)との開発開始を発表したSiCパワーモジュール搭載の「800Vシステム対応次世代SiCインバータ」の2年後の量産を目指し開発を進め、この度プロトタイプの完成に至りました。 SiC Inverter 　当製品はパワー素子にSiC...

高品質SiC 6インチ単結晶基板 “CrystEra®” の製品化に成功【住友電気工業】

2020年5月11日 住友電気工業株式会社（本社：大阪市中央区、社長：井上 治、以下 当社）は、6インチSiCパワーデバイス用単結晶基板 “CrystEra®” の開発に成功し、2020年度下期より当社SiCエピタキシャル基板 “EpiEra®” への適用を開始します。 パワーデバイスは電力制御用の半導体デバイス...

効率、サイズ、信頼性をシステムレベルで向上させる シリコン カーバイド（SiC）パワー エレクトロニクス ファミリを拡充【マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン】

2020年3月17日 [NASDAQ: MCHP] – 革新的なパワー ソリューションの開発を可能にするため、高効率化、小型化、軽量化を実現できるシリコン カーバイド（SiC）採用システムに対する需要は急速な増大を続けています。SiC技術を活用したアプリケーションは電気自動車、充電ステーションからスマート パワーグリッド...